公开(公告)号：CN100495219C

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200310121308.3

申请日：2003-12-11

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 古岛聪 ,  高田和彦 ,  大肋弘宪

IPC: G03G5/04 ,  G03G15/08

CPC classification number: G03G5/14704 ,  G03G5/08221 ,  G03G5/08228 ,  G03G5/08235 ,  G03G5/08242

Abstract: 保密法提供能够抑制感光体制造步骤中异常成长部分的成长、使其不在图像上显出、大幅度改善图像缺陷的电摄影感光体。一种电摄影感光体，是在至少表面具有导电性的支承体上，具有含有以硅为主体的非晶材料的光导电层的电摄影感光体，其特征在于，所述光导电层具有2个或2个以上的层区域，且在所述层区域中，与最接近所述电摄影感光体自由表面的所述层区域相接触的层区域的凸起成长被停止在所述层区域的表面。

公开(公告)号：CN1506769A

公开(公告)日：2004-06-23

申请号：CN200310121308.3

申请日：2003-12-11

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 古岛聪 ,  高田和彦 ,  大肋弘宪

IPC: G03G5/04 ,  G03G15/08

CPC classification number: G03G5/14704 ,  G03G5/08221 ,  G03G5/08228 ,  G03G5/08235 ,  G03G5/08242

Abstract: 保密法提供能够抑制感光体制造步骤中异常成长部分的成长、使其不在图像上显出、大幅度改善图像缺陷的电摄影感光体。一种电摄影感光体，是在至少表面具有导电性的支承体上，具有含有以硅为主体的非晶材料的光导电层的电摄影感光体，其特征在于，所述光导电层具有2个或2个以上的层区域，且在所述层区域中，与最接近所述电摄影感光体自由表面的所述层区域相接触的层区域的凸起成长被停止在所述层区域的表面。