公开(公告)号：CN101351066A

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200810133651.2

申请日：2008-07-18

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 青田幸人

IPC: H05B33/22

Abstract: 本发明公开了一种有机发光装置及制造所述有机发光装置的方法。在所提供的有机发光装置中，防止当移除外部连接端子上的钝化层时所产生的裂纹等随时间的逝去而扩展，并且不损坏发光区域的防湿性。所述有机发光装置包括：基板；有机平面化层，其用于对基板的不平坦进行平整；有机发光器件，其包括下电极、有机化合物层和上电极；以及钝化层，其用于覆盖有机发光器件，其中，所述有机平面化层中形成有凹入或凸出非连续部分，以用于分离包括发光区域的部位和包括外部连接端子的部位，并且所述非连续部分被所述钝化层所覆盖。

公开(公告)号：CN1226450C

公开(公告)日：2005-11-09

申请号：CN01143331.0

申请日：2001-09-14

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 青田幸人 ,  金井正博

IPC: C23C16/50 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32532 ,  C23C16/515

Abstract: 在一种等离子体处理方法中，在所述阴极的后侧设置至少一个导体板，导体板与所述阴极和相对电极直流电绝缘，并且用一屏蔽壁封闭所述阴极和导体板，以便由所述阴极和所述相对电极提供的电极间耦合电容与由所述阴极和设在所述导体板的后侧的屏蔽壁的底面提供的耦合电容之间的比率不小于一个预定值。由此，能够实现高质量的、高速的等离子体处理。

公开(公告)号：CN111326672A

公开(公告)日：2020-06-23

申请号：CN201911289060.9

申请日：2019-12-13

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 青田幸人 ,  石井隆司 ,  石毛刚一 ,  坪井隆志

IPC: H01L51/52 ,  H01L51/56 ,  H01L27/32

Abstract: 本发明涉及有机发光元件和有机发光装置及它们的生产方法、照明装置、移动体、摄像装置和电子设备。有机发光元件从基板的第一表面起依次包括：基板、下部电极、有机化合物层、上部电极、包含无机材料的第一保护层、其密度高于第一保护层的密度的第二保护层、和其密度高于第一保护层的密度的第三保护层，其中第三保护层设置在基板的与基板第一表面相对的第二表面上。

公开(公告)号：CN1132233C

公开(公告)日：2003-12-24

申请号：CN98108961.5

申请日：1998-05-22

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 森山公一朗 ,  青田幸人 ,  金井正博 ,  大利博和

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32165 ,  H01J37/32935 ,  H01J37/3299

Abstract: 一种等离子体处理方法，包括步骤：通过阻抗匹配电路向处理室中馈送比处理过程中的第二高频电源的功率要低的第二高频电源，然后再向该处理室馈送功率比处理过程中的第一高频电源高的第一高频电源，以生成等离子体；减小所述第一高频电源的强度，使之降到处理过程中第一高频电源的功率值的100-200%，提高所述第二高频电源的强度，使之升到处理过程中第二高频电源的功率值的70-100%，然后再调节所述第一高频电源的强度，以获得预定值的等离子体强度；使所述阻抗匹配电路进行一次匹配操作，同时调节所述第一高频电源的值，以获得一个处理过程中的理想等离子体强度值。

公开(公告)号：CN1212456A

公开(公告)日：1999-03-31

申请号：CN98108961.5

申请日：1998-05-22

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 森山公一朗 ,  青田幸人 ,  金井正博 ,  大利博和

IPC: H01L21/3065 ,  C23C16/50

CPC classification number: H01J37/32165 ,  H01J37/32935 ,  H01J37/3299

Abstract: 一种等离子体处理方法,包括步骤:通过阻抗匹配电路向处理室中馈送比处理过程中的功率要低的第二高频电源,然后再向该处理室馈送功率比处理过程中高的第一高频电源,以生成等离子体;减小所述第一高频电源的强度,使之接近处理过程中的值,提高所述第二高频电源的强度,也使之接近处理过程中的值,然后再调节所述第一高频电源的强度,以获得预定值的等离子体强度;使所述阻抗匹配电路进行一次匹配操作,同时调节所述第一高频电源的值,以获得一个处理过程中的理想等离子体强度值。

公开(公告)号：CN101621013B

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN200910138948.2

申请日：2009-05-21

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 松田高一 ,  青田幸人

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/78 ,  H01L21/00 ,  H01L23/48 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L27/3276 ,  H01L27/3288 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/56 ,  H01L2227/326 ,  H01L2251/566

Abstract: 提供一种有机发光器件的制造方法，用于一种有机发光器件，其具有：设置有外部连接端子的基板；设置在该基板上的有机发光元件；以及覆盖该有机发光元件的保护膜。该方法包括：顺序地，在外部连接端子上设置保护膜去除层；在基板上形成保护膜；划分其上形成有该保护膜的该基板；以及用水、水溶液或溶剂来清洗该基板。作为清洗该基板的结果，将保护膜去除层和保护膜从外部连接端子去除。

公开(公告)号：CN101621013A

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：CN200910138948.2

申请日：2009-05-21

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 松田高一 ,  青田幸人

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/78 ,  H01L21/00 ,  H01L23/48 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L27/3276 ,  H01L27/3288 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/56 ,  H01L2227/326 ,  H01L2251/566

Abstract: 提供一种有机发光器件的制造方法，用于一种有机发光器件，其具有：设置有外部连接端子的基板；设置在该基板上的有机发光元件；以及覆盖该有机发光元件的保护膜。该方法包括：顺序地，在外部连接端子上设置保护膜去除层；在基板上形成保护膜；划分其上形成有该保护膜的该基板；以及用水、水溶液或溶剂来清洗该基板。作为清洗该基板的结果，将保护膜去除层和保护膜从外部连接端子去除。

公开(公告)号：CN1363721A

公开(公告)日：2002-08-14

申请号：CN01143331.0

申请日：2001-09-14

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 青田幸人 ,  金井正博

IPC: C23C16/50 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32532 ,  C23C16/515

Abstract: 在一种等离子体处理方法中,在所述阴极的后侧设置至少一个导体板,导体板与所述阴极和相对电极直流电绝缘,并且用一屏蔽壁封闭所述阴极和导体板,以便由所述阴极和所述相对电极提供的电极间耦合电容与由所述阴极和设在所述导体板的后侧的屏蔽壁的底面提供的耦合电容之间的比率不小于一个预定值。由此,能够实现高质量的、高速的等离子体处理。