图像感测设备和图像摄取系统

    公开(公告)号:CN101360194B

    公开(公告)日:2011-12-14

    申请号:CN200810145020.2

    申请日:2008-08-01

    Inventor: 沖田彰 铃木觉

    CPC classification number: H04N5/3765 H04N5/374

    Abstract: 本发明公开一种图像感测设备,所述图像感测设备包括像素和驱动单元,其中所述驱动单元包括缓冲电路,所述缓冲电路包括第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管,令V3是被提供给第一NMOS晶体管的栅极以将用于关断传送MOS晶体管的传送信号提供给传送控制线的电压,令V4是被提供给第一PMOS晶体管的栅极以将用于导通传送MOS晶体管的传送信号提供给传送控制线的电压,令Vthp1是第一PMOS晶体管的阈值电压,Vthn1是第一NMOS晶体管的阈值电压,则满足(V2+Vthn1)<V3<V1以及V2<V4<(V1+Vthp1)。

    图像感测设备和图像摄取系统

    公开(公告)号:CN101360194A

    公开(公告)日:2009-02-04

    申请号:CN200810145020.2

    申请日:2008-08-01

    Inventor: 沖田彰 铃木觉

    CPC classification number: H04N5/3765 H04N5/374

    Abstract: 本发明公开一种图像感测设备,所述图像感测设备包括像素和驱动单元,其中所述驱动单元包括缓冲电路,所述缓冲电路包括第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管,令V3是被提供给第一NMOS晶体管的栅极以将用于关断传送MOS晶体管的传送信号提供给传送控制线的电压,令V4是被提供给第一PMOS晶体管的栅极以将用于导通传送MOS晶体管的传送信号提供给传送控制线的电压,令Vthp1是第一PMOS晶体管的阈值电压,Vthn1是第一NMOS晶体管的阈值电压,则满足(V2+Vthn1)<V3<V1以及V2<V4<(V1+Vthp1)。

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