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公开(公告)号：CN102884785B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201180022660.4
申请日：2011-05-06
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 筱原真人
IPC: H04N5/3745 , H04N5/374
CPC classification number: H04N5/3745 , H01L27/146 , H01L27/14609 , H01L27/14643 , H04N5/3741 , H04N5/378
Abstract: 本发明的固态图像拾取装置包括布置成矩阵的多个像素。为了方便，在所述多个像素当中，把不被并行读取信号的两个像素设置为第一像素和第二像素。第一重置晶体管设置在第一重置电源线与第一像素中包含的放大晶体管的控制电极之间的电路径中。第二重置晶体管设置在第一像素中包含的放大晶体管的控制电极与第二像素中包含的放大晶体管的控制电极之间的电路径中。第三重置晶体管设置在第二像素中包含的放大晶体管的控制电极与第二重置电源线之间的电路径中。
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公开(公告)号：CN1697493A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200510070264.5
申请日：2005-05-13
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 筱原真人
IPC: H04N5/335 , H01L27/146 , H04N5/225
CPC classification number: H04N5/37457 , H04N5/3575 , H04N5/3658
Abstract: 本发明，提供能够得到像素的动作时间差小，且高SN比的传感器输出的固态摄像装置。在具有排列了多个至少设置了光电转换部和用于将上述光电转换部发出的信号放大输出的晶体管的像素而形成的光电转换像素部1，将与上述光电转换像素部1的至少一部分像素对应的模拟存储单元排列形成的存储部9、10的固态摄像装置中，具有：分别与将像素的一列共同连接的多个输出线连接，通过将像素发出的信号钳位，除去像素的噪声的多个耦合电容体5；与多个耦合电容体5分别连接，用于将耦合电容体发出的信号电压放大的多个放大器24；分别与多个放大器24连接，用于输出各放大器的输出偏置和放大了的信号的电路装置25、26、27、28。
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公开(公告)号：CN1232298A
公开(公告)日：1999-10-20
申请号：CN99105839.9
申请日：1999-03-12
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 筱原真人
IPC: H01L27/146 , H04N5/225
CPC classification number: H04N5/374
Abstract: 为了减小图象传感器的尺寸,本发明提供的图象传感器包括:多个光电转换元件;和用于存储控制信息的存储器,控制信息用于控制从多个光电转换元件发出的信号,并且其中多个光电转换元件和存储器被形成在同一半导体芯片中。
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公开(公告)号：CN120051025A
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202411649301.7
申请日：2024-11-19
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 筱原真人
IPC: H10F39/18
Abstract: 公开了光电转换装置和装备。一种装置，在该装置中光电转换单元被部署在半导体基板上，该半导体基板包括第一表面和位于第一表面的相对侧的第二表面。光电转换单元包括：第一导电类型的第一区域，第一区域构成第一表面的一部分并且连接到被配置为检测雪崩击穿的检测电路；第一导电类型的第二区域，第二区域远离第一区域部署；与第一导电类型相反的第二导电类型的第三区域，第三区域被部署在比第一区域和第二区域更靠近第二表面的位置处；以及第四区域，第四区域被部署在第一区域与第二区域之间。第二区域和第三区域用作雪崩光电二极管。第一区域和第二区域被配置为经由第四区域彼此导通。
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公开(公告)号：CN111627944A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010110632.9
申请日：2020-02-24
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 筱原真人
IPC: H01L27/146 , H04N5/359 , H04N5/361 , H04N5/378
Abstract: 公开了光电转换设备、成像系统、放射线成像系统和可移动物体。一种光电转换设备包括：光电转换单元，生成第一极性的信号电荷；以及电荷转换电路，将信号电荷转换成信号电压。光电转换单元包括设置在半导体基板的表面侧的第一导电类型的第一半导体区域和第二导电类型的第二半导体区域、设置在第一深度处的第一导电类型的第三半导体区域、设置在第二深度处并且在平面图中与第二半导体区域重叠的第二导电类型的第四半导体区域以及设置在第三深度处的第一导电类型的第五半导体区域，并且在平面图中第三半导体区域和第五半导体区域与第一半导体区域、第二半导体区域和第四半导体区域重叠。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1496112A
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN03153673.5
申请日：2003-08-19
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 筱原真人
CPC classification number: H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14643
Abstract: 一种摄像装置，配置多个像素而构成，所述像素包括进行光电变换并存储通过光电转换而产生的信号电荷的光电转换单元、和放大输出由上述光电转换单元产生的信号电荷的放大用晶体管，该摄像装置具有：结型场效应晶体管，由主电极和控制电极区域构成，所述主电极由与相邻的2个上述像素中分别包含的上述放大用晶体管的控制电极区域连接的第一导电类型的第一半导体区域构成；控制电极区域和在形成上述光电转换单元的半导体区域中的、与上述第一半导体区域导电类型相反的第二导电类型的半导体区域为相同的电位，并且由第二导电类型的第二半导体区域构成；并且串联连接上述第一半导体区域；以及电位供给电路，用来向上述结型场效应晶体管的主电极区域供给预定的电位。
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公开(公告)号：CN111627944B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202010110632.9
申请日：2020-02-24
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 筱原真人
IPC: H01L27/146 , H04N25/59 , H04N25/63 , H04N25/47
Abstract: 公开了光电转换设备、成像系统、放射线成像系统和可移动物体。一种光电转换设备包括：光电转换单元，生成第一极性的信号电荷；以及电荷转换电路，将信号电荷转换成信号电压。光电转换单元包括设置在半导体基板的表面侧的第一导电类型的第一半导体区域和第二导电类型的第二半导体区域、设置在第一深度处的第一导电类型的第三半导体区域、设置在第二深度处并且在平面图中与第二半导体区域重叠的第二导电类型的第四半导体区域以及设置在第三深度处的第一导电类型的第五半导体区域，并且在平面图中第三半导体区域和第五半导体区域与第一半导体区域、第二半导体区域和第四半导体区域重叠。
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公开(公告)号：CN105830219B
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201380081797.6
申请日：2013-12-25
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 结型场效应晶体管的特性变化可以被减小。本发明的实施例是成像装置，该成像装置包括多个像素，每个像素包括设置在半导体衬底中的结型场效应晶体管。结型场效应晶体管包括栅极区和沟道区。栅极区和沟道区在平面视图中相互交叉。
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公开(公告)号：CN1202575C
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN99105839.9
申请日：1999-03-12
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 筱原真人
IPC: H01L27/146 , H04N5/225
CPC classification number: H04N5/374
Abstract: 为了减小图象传感器的尺寸，本发明提供的图象传感器包括：多个光电转换元件；和用于存储控制信息的存储器，控制信息用于控制从多个光电转换元件发出的信号，并且其中多个光电转换元件和存储器被形成在同一半导体芯片中。
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公开(公告)号：CN105830219A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201380081797.6
申请日：2013-12-25
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14689 , H01L27/14679 , H01L29/1058 , H01L29/1066 , H01L29/66901 , H01L29/66909 , H01L29/808 , H01L29/8083 , H01L31/1126
Abstract: 结型场效应晶体管的特性变化可以被减小。本发明的实施例是成像装置，该成像装置包括多个像素，每个像素包括设置在半导体衬底中的结型场效应晶体管。结型场效应晶体管包括栅极区和沟道区。栅极区和沟道区在平面视图中相互交叉。
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