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公开(公告)号：CN110962485A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201910923509.6
申请日：2019-09-27
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 本发明涉及记录方法、记录设备和记录物。一种记录方法，其包括将第一墨施加至记录介质的步骤；和通过施加第二墨使得第二墨与施加有第一墨的区域至少部分地重叠而在记录介质上记录图像的步骤。第一墨为包含银颗粒的水性墨。第二墨为包含着色材料的水性墨。记录介质具有包含选自由溴化物离子和碘化物离子组成的组的卤化物离子的墨接收层。墨接收层具有0.1mmol/m2以上且0.8mmol/m2以下的卤化物离子的含量。
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公开(公告)号：CN105437809A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510616908.X
申请日：2015-09-24
Applicant: 佳能株式会社
IPC: B41M5/40
CPC classification number: B41M5/5218 , B41M5/502 , B41M5/506 , B41M5/508 , B41M5/52 , B41M2205/42
Abstract: 本发明涉及记录介质。记录介质包括基材和第一墨接收层。所述第一墨接收层包含平均粒径为1.0μm以上的无定形二氧化硅，和平均粒径为50nm以下的无机颗粒。所述第一墨接收层中的无定形二氧化硅的含量基于所有无机颗粒的总含量为30质量％以上且95质量％以下。
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公开(公告)号：CN102189865B
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201110030695.4
申请日：2011-01-28
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: B41M5/502
Abstract: 记录介质包括基材和该基材的第一表面和第二表面的每一个上的两个以上的墨接受层。该墨接受层均含有颜料和粘结剂。A1、A2、B1和B2(nm)满足关系(1)、(2)和(3)，其中A1为该第一表面侧的最外墨接受层的孔半径分布的峰位置，A2为与该最外墨接受层相邻的墨接受层的孔半径分布的峰位置，B1为该第二表面侧的最外墨接受层的孔半径分布的峰位置，和B2为与该最外墨接受层相邻的墨接受层的孔半径分布的峰位置。该最外墨接受层的每一个的JIS B 0601中规定的算术平均粗糙度Ra为0.50μm以上。
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公开(公告)号：CN101905582A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN201010197092.9
申请日：2010-06-08
Applicant: 佳能株式会社
IPC: B41M5/50
CPC classification number: B41M5/508 , B41M5/502 , B41M5/52 , B41M5/5218 , B41M5/5236 , B41M5/5254 , B41M5/5263 , B41M5/5272 , B41M5/5281 , B41M2205/40
Abstract: 本发明涉及喷墨记录介质及其生产方法。一种喷墨记录介质，其具有透气性基材，和在所述透气性基材上依序设置的墨接收层和表面层，其中所述表面层通过以下步骤来形成：(1)将包含第一无机颜料和粘结剂的涂布液施涂至墨接收层上，和(2)将包含凝固剂和第二无机颜料的凝固液施涂于施涂的涂布液上，从而使涂布液进行凝固处理，接着，在包括所述涂布液和所述凝固液的涂层处于湿润状态的同时，将所述涂层与加热的铸涂滚筒压接，从而使涂层进行铸涂处理，所述第二无机颜料具有比上述第一无机颜料的折射率高0.30以上的折射率，并具有平均粒径100nm以下。
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公开(公告)号：CN110962485B
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN201910923509.6
申请日：2019-09-27
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 本发明涉及记录方法、记录设备和记录物。一种记录方法，其包括将第一墨施加至记录介质的步骤；和通过施加第二墨使得第二墨与施加有第一墨的区域至少部分地重叠而在记录介质上记录图像的步骤。第一墨为包含银颗粒的水性墨。第二墨为包含着色材料的水性墨。记录介质具有包含选自由溴化物离子和碘化物离子组成的组的卤化物离子的墨接收层。墨接收层具有0.1mmol/m2以上且0.8mmol/m2以下的卤化物离子的含量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105437814A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510616917.9
申请日：2015-09-24
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: B41M5/5218 , B41M5/502 , B41M5/506 , B41M5/508 , B41M5/52 , B41M2205/38 , B41M2205/42
Abstract: 本发明提供记录介质。记录介质依次包括基材、第一墨接收层、和作为最表层的第二墨接收层。第一墨接收层包含平均粒径为1.0μm以上的无定形二氧化硅。第二墨接收层包含胶体二氧化硅。第二墨接收层的表面的JIS B0601:2001中规定的粗糙度轮廓单元的均方根斜率RΔq为0.3以上。
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公开(公告)号：CN102189861B
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201110060007.9
申请日：2011-03-03
Applicant: 佳能株式会社
IPC: B41M5/00
CPC classification number: B41M5/502 , B41M2205/42
Abstract: 记录介质，其包括基材和在该基材上设置的至少两个多孔墨接受层，其中，作为第二位远离该基材的层，下层配置在上层的基材侧，该上层最远离该基材。该上层和下层的孔分布曲线分别具有一个峰和两个峰。将给出该一个峰和该两个峰的孔半径分别记为R1以及R2、R3，其中R2小于R3时，R1为8nm-11nm，R2为5nm以上，R2小于R1，R1与R2之间的差为2nm以上，R3不小于R1，R3与R1之间的差为3nm以下。孔半径R2和R3时的孔容积分别为VR2和VR3时，比例VR2/VR3为0.8-2.4。
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公开(公告)号：CN105437810A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510616909.4
申请日：2015-09-24
Applicant: 佳能株式会社
IPC: B41M5/40
CPC classification number: B41M5/5218 , B41M5/502 , B41M5/506 , B41M5/508 , B41M2205/38 , B41M2205/40 , B41M2205/42
Abstract: 本发明涉及记录介质。记录介质依次包括基材、第一墨接收层和与所述第一墨接收层相邻的第二墨接收层。所述第一墨接收层包含平均粒径为50nm以下的无机颗粒，并且所述第二墨接收层包含平均粒径为3.2μm以上的无定形二氧化硅。
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公开(公告)号：CN102267301B
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201110143531.2
申请日：2011-05-31
Applicant: 佳能株式会社
IPC: B41M5/50
CPC classification number: B41M5/00
Abstract: 本发明提供记录介质，其能够抑制转移不足的发生、降低记录介质的最外表面上的划痕的可见性并且抑制进行记录时斑点图案的发生。该记录介质具有基材和设置在该基材上的墨接受层，其中该记录介质的最外表面的由JIS B 0601：2001规定的算术平均粗糙度Ra为1.1μm-2.5μm，并且该记录介质的最外表面的由JIS B 0601：2001规定的粗糙度曲线的偏度Rsk为0.1以下。
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公开(公告)号：CN102267301A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201110143531.2
申请日：2011-05-31
Applicant: 佳能株式会社
IPC: B41M5/50
CPC classification number: B41M5/00
Abstract: 本发明提供记录介质，其能够抑制转移不足的发生、降低记录介质的最外表面上的划痕的可见性并且抑制进行记录时斑点图案的发生。该记录介质具有基材和设置在该基材上的墨接受层，其中该记录介质的最外表面的由JIS B 0601：2001规定的算术平均粗糙度Ra为1.1μm-2.5μm，并且该记录介质的最外表面的由JIS B 0601：2001规定的粗糙度曲线的偏度Rsk为0.1以下。
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