公开(公告)号：CN1153258C

公开(公告)日：2004-06-09

申请号：CN98126327.5

申请日：1998-12-25

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 泷泽亨 ,  米原隆夫 ,  山方宪二

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/67092 ,  H01L21/6838

Abstract: 两晶片适当地彼此接触。第一晶片由具有环形外围部分(3d)的晶片支撑台(3)支撑。基片支撑台(3)只与第一晶片的外围部分(3d)接触。而第二晶片与第一晶片相对地被支撑时，第二晶片的下表面在其中心部分被加压，以便第一和第二晶片从中心部分向外彼此接触。晶片支撑台(3)的中心部分(3c)不与第一晶片接触。甚至在有颗粒附着于该中心部分时，也可以防止被支撑的第一晶片不平整。因此，两晶片间不存在残留的气体。

公开(公告)号：CN1221968A

公开(公告)日：1999-07-07

申请号：CN98126327.5

申请日：1998-12-25

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 泷泽亨 ,  米原隆夫 ,  山方宪二

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/67092 ,  H01L21/6838

Abstract: 两晶片适当地彼此接触。第一晶片由具有环形外围部分(3d)的晶片支撑台(3)支撑。基片支撑台(3)只与第一晶片的外围部分(3d)接触。而第二晶片与第一晶片相对地被支撑时,第二晶片的下表面在其中心部分被加压,以便第一和第二晶片从中心部分向外彼此接触。晶片支撑台(3)的中心部分(3c)不与第一晶片接触。甚至在有颗粒附着于该中心部分时,也可以防止被支撑的第一晶片不平整。因此,两晶片间不存在残留的气体。

公开(公告)号：CN1209644A

公开(公告)日：1999-03-03

申请号：CN98118700.5

申请日：1998-08-26

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 泷泽亨 ,  米原隆夫 ,  山方宪二

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67092 ,  H01L21/2007

Abstract: 一种使两个基片重叠和接触的基片处理装置,包括:一用于支承第一基片的支承装置;一加压装置用于将第二基片压在由所述支承装置的支承的第一基片上,其特征在于:在第一基片的预定部分被弯曲与第二基片分离和第一基片不被弯曲的同时,所述支承装置能支承第一基片。还包括基片支承装置,基片处理方法,基片制造方法。

公开(公告)号：CN1198586A

公开(公告)日：1998-11-11

申请号：CN98105533.8

申请日：1998-03-12

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 泷泽亨 ,  米原隆夫 ,  山方宪二

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/68728 ,  H01L21/67092 ,  Y10T29/53191 ,  Y10T156/1744

Abstract: 一块基板放在基板支承台上,其正面朝上,另一块基板由夹紧部分夹紧,其正面朝上。基板夹紧部分绕一根轴转动180°，使两块基板相互面对基本平行。对应于取消由基板夹紧部分对上基板的夹紧,由加压销对上基板的中心部分加压,从而迭合两块基板。