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公开(公告)号：CN101075516B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200710091803.2
申请日：2003-02-26
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J9/027 , H01J31/127
Abstract: 本发明提供一种电子发射元件的制造方法，具有：对高分子膜进行低阻化的同时作为碳膜的工序，其中上述高分子膜配置成连接配置于基体上的一对电极；以及通过使电流流过上述碳膜从而在上述碳膜的、上述一对电极中的一个电极附近形成间隙的工序，对上述高分子膜进行低阻化的工序为向上述高分子膜照射光或粒子束以便对于其电传导的激活能量成为0.3eV以下的工序。
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公开(公告)号：CN1379429A
公开(公告)日：2002-11-13
申请号：CN02120185.4
申请日：2002-02-27
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01J9/02
CPC classification number: H01J9/027 , H01J9/241 , H01J31/127
Abstract: 本发明提供一种图像形成装置的制作方法,能够简化电子发射装置的制作过程,降低图像形成装置的制作成本,长时间地表现出良好的显示质量。在一第一衬底(1)上形成多个由电极(2,3)组成的电极对。设置用于连接电极(2,3)的聚合物膜(6”)。之后,利用激光束或颗粒束照射聚合物膜(6”),以至少部分地降低电阻并把聚合物膜(6”)改变成含有作为其主要成分的碳的导电膜(6’)。在电极(2,3)之间导通电流,在部分导电膜(6’)中形成间距(5’)。在低压气氛中,通过粘合把第一衬底(1)和其上排列有图像形成部件的第二衬底粘结在一起,组成一图像形成装置。
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公开(公告)号：CN100356496C
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN03106605.4
申请日：2003-02-26
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01J9/02
CPC classification number: H01J9/027 , H01J31/127
Abstract: 本发明提供能够简化电子发射元件的制造工序，而且还能够改善电子发射特性的电子发射元件的制造方法，电子源的制造方法以及图像形成装置的制造方法，在把高分子膜碳化，使利用为电子发射部分的表面传导型的电子发射元件的制造工序中的高分子膜低阻化的工序中，在上述高分子膜上，在把每单位面积，每单位时间供给的能量束的能量强度记为W[W/m2]时，满足W≥2×T×(ρsub·Csub·λsub/τ)1/2(T：把高分子膜在1×10-4Pa以上的真空中加热保持1小时，使其成为0.1Ω·cm以下的电阻率的温度[℃]，Csub：上述基体的比热[J/kg·K]，ρsub：上述基体的比重[kg/m3]，λsub：上述基体的热传导率[W/m·K]，1×10-9sec≤τ≤10sec)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1463017A
公开(公告)日：2003-12-24
申请号：CN02158829.5
申请日：2002-12-25
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 为了在实现电子发射效率高且特性一致的电子发射元件的同时，抑制使用同一元件的电子源、图象显示装置的显示的不均匀，以显示均匀良好画质的图象，本发明提出具有以下特征的电子发射元件，以及使用同一元件的电子源、图象显示装置，即，在基体1表面上具有隔开配置的电极2、3，以及配置在它们之间、与电极3连接的碳膜4’，在该碳膜4’和电极2之间配置间隙5，在间隙5中与电极3连接的碳膜4’的表面和电极2的表面的间隔，从基体1的表面开始向上方变窄。
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公开(公告)号：CN1448977A
公开(公告)日：2003-10-15
申请号：CN03106605.4
申请日：2003-02-26
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01J9/02
CPC classification number: H01J9/027 , H01J31/127
Abstract: 本发明提供能够简化电子发射元件的制造工序，而且还能够改善电子发射特性的电子发射元件的制造方法，电子源的制造方法以及图像形成装置的制造方法，在把高分子膜碳化，使利用为电子发射部分的表面传导型的电子发射元件的制造工序中的高分子膜低阻化的工序中，在上述高分子膜上，在把每单位面积，每单位时间供给的能量束的能量强度记为W[W/m2]时，满足W≥2×T×(ρsub·Csub·λsub/τ)1/2(T：把高分子膜在1×10－4Pa以上的真空中加热保持1小时，使其成为0.1Ω·cm以下的电阻率的温度[℃]，Csub：上述基体的比热[J/kg·K]，ρsub：上述基体的比重[kg/m3]，λsub：上述基体的热传导率[W/m·K]，1×10－9sec≤τ≤10sec)。
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公开(公告)号：CN101075516A
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200710091803.2
申请日：2003-02-26
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J9/027 , H01J31/127
Abstract: 本发明提供一种电子发射元件的制造方法，具有：对高分子膜进行低阻化的同时作为碳膜的工序，其中上述高分子膜配置成连接配置于基体上的一对电极；以及通过使电流流过上述碳膜从而在上述碳膜的、上述一对电极中的一个电极附近形成间隙的工序，对上述高分子膜进行低阻化的工序为向上述高分子膜照射光或粒子束以便对于其电传导的激活能量成为0.3eV以下的工序。
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公开(公告)号：CN1215518C
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN01141076.0
申请日：2001-08-31
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01J9/02
CPC classification number: H01J9/027
Abstract: 本发明提供了一种电子发射器件的制造方法包括：在形成于一个衬底上的一对电极之间形成一个包含位于碳原子间的偶联的聚合物薄膜的步骤；用电子束照射至少一部分上述聚合物薄膜的步骤；以及在上述一对电极之间提供电位差的步骤。本发明还提供了一种制造具有多个电子发射器件的电子源的方法，以及一种用于制造图像形成装置的方法。
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公开(公告)号：CN1441451A
公开(公告)日：2003-09-10
申请号：CN03106480.9
申请日：2003-02-27
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01J9/02
CPC classification number: H01J9/027
Abstract: 其特征在于：具有：在基体上配置一对电极的步骤；配置包含吸光材料的高分子膜，使其连接所述电极之间的步骤；通过向所述包含吸光材料的高分子膜照射光，使该高分子膜低电阻化的步骤；通过使电流流过通过使所述高分子膜低电阻化而得到的膜，在该膜上形成间隙的步骤。提供能简单步骤，并且能进行电子发射特性的改善的电子发射元件的制造方法。
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