公开(公告)号：CN1269601A

公开(公告)日：2000-10-11

申请号：CN00104669.1

申请日：2000-03-24

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 松村聪 ,  山方宪二

IPC: H01L21/20 ,  C30B25/02

CPC classification number: H01L21/67017

Abstract: 本发明将降低阳极化反应产生的气体的影响。要处理的硅基体(101)被水平夹住。负电极(129)被布置在硅基体(101)的上方,并使正电极(114)与硅基体(101)的下表面接触。用HF溶液(132)充填负电极(129)和硅基体(101)之间的空间。负电极(129)具有许多排气孔(130),以防止阳极化反应产生的气体停留在负电极(129)的下方。

公开(公告)号：CN1521809A

公开(公告)日：2004-08-18

申请号：CN200410002793.7

申请日：2000-03-24

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 松村聪 ,  山方宪二

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/326 ,  C25B9/00 ,  C30B25/02

CPC classification number: H01L21/67017

Abstract: 本发明将降低阳极化反应产生的气体的影响。要处理的硅基体(101)被水平夹住。负电极(129)被布置在硅基体(101)的上方，并使正电极(114)与硅基体(101)的下表面接触。用HF溶液(132)充填负电极(129)和硅基体(101)之间的空间。负电极(129)具有许多排气孔(130)，以防止阳极化反应产生的气体停留在负电极(129)的下方。

公开(公告)号：CN1136604C

公开(公告)日：2004-01-28

申请号：CN99119692.9

申请日：1999-07-23

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 佐藤信彦 ,  松村聪

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/0203 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/76259 ,  Y10S438/964

Abstract: 本发明公开了一种制造半导体基底部件的方法，在硅基底材料的表面上形成包括原子台阶和台面的表面，在不消除该台阶和台面的情况下制成多孔，然后在其上形成无孔的半导体单晶膜，从而实现多孔层的孔尺寸分布均匀。

公开(公告)号：CN1092720C

公开(公告)日：2002-10-16

申请号：CN98125517.5

申请日：1998-12-25

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 松村聪 ,  山方宪二

IPC: C25D17/00 ,  C25D11/32 ,  H01L21/00

CPC classification number: C25D11/32 ,  C25D11/005 ,  C25D17/001 ,  C25D17/004 ,  C25D17/02 ,  H01L21/3063 ,  H01L21/76259

Abstract: 本发明提供有效地进行阳极化处理的阳极化设备、方法和半导体衬底的制造方法。该用电解液对衬底进行阳极化处理的阳极化设备，包括：盛放电解液的处理池，该处理池在其壁上有开口；具有用来与衬底的表面接触的平坦接触面的正极，该衬底设置在所述开口附近且在所述处理池的内侧，所述衬底的表面通过所述开口向所述处理池外部敞开；以及正对着关闭所述开口的负极。

公开(公告)号：CN1194384C

公开(公告)日：2005-03-23

申请号：CN00104669.1

申请日：2000-03-24

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 松村聪 ,  山方宪二

IPC: H01L21/20 ,  C30B25/02

CPC classification number: H01L21/67017

Abstract: 本发明将降低阳极化反应产生的气体的影响。要处理的硅基体(101)被水平夹住。负电极(129)被布置在硅基体(101)的上方，并使正电极(114)与硅基体(101)的下表面接触。用HF溶液(132)充填负电极(129)和硅基体(101)之间的空间。负电极(129)具有许多排气孔(130)，以防止阳极化反应产生的气体停留在负电极(129)的下方。

公开(公告)号：CN1248788A

公开(公告)日：2000-03-29

申请号：CN99119692.9

申请日：1999-07-23

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 佐藤信彦 ,  松村聪

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/0203 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/76259 ,  Y10S438/964

Abstract: 为了实现多孔层的孔尺寸分布均匀,在硅基底材料的表面上形成包括原子台阶和台面的表面,在不消除该台阶和台面的情况下制成多孔,然后在其上形成非多孔的半导体单晶膜。

公开(公告)号：CN1227284A

公开(公告)日：1999-09-01

申请号：CN98125517.5

申请日：1998-12-25

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 松村聪 ,  山方宪二

IPC: C25F3/12 ,  C25F7/00

CPC classification number: C25D11/32 ,  C25D11/005 ,  C25D17/001 ,  C25D17/004 ,  C25D17/02 ,  H01L21/3063 ,  H01L21/76259

Abstract: 本发明提供一种有效地进行阳极化处理的阳极化设备。这种在电解液中对衬底进行阳极化处理的阳极化设备包括：盛放电解液的处理池，该处理池在其壁上有开口；正对着开口设置在处理池中的负极；与要处理的衬底的表面相接触的正极，该衬底设置在开口附近且在处理池内侧，该衬底的表面通过开口向处理池外部敞开。