电子照相感光体
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100545757C

    公开(公告)日:2009-09-30

    申请号:CN200710105061.4

    申请日:2004-07-30

    Abstract: 本发明的电子照相感光体,在导电性基体上至少具有由将硅原子作为母材的非单晶材料构成的光导电层、和叠层在光导电层上的将硅原子和碳原子作为母体的非单晶层,在叠层在光导电层上的将硅原子和碳原子作为母体的非单晶层区域内的厚度方向,相对构成原子总量的氧原子的含有量分布具有峰值。

    电子照相感光体
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101051192A

    公开(公告)日:2007-10-10

    申请号:CN200710105061.4

    申请日:2004-07-30

    Abstract: 本发明的电子照相感光体,在导电性基体上至少具有由将硅原子作为母材的非单晶材料构成的光导电层、和叠层在光导电层上的将硅原子和碳原子作为母体的非单晶层,在叠层在光导电层上的将硅原子和碳原子作为母体的非单晶层区域内的厚度方向,相对构成原子总量的氧原子的含有量分布具有峰值。

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