公开(公告)号：CN1751393A

公开(公告)日：2006-03-22

申请号：CN200480004177.3

申请日：2004-02-10

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 渡边实 ,  森下正和 ,  望月干织 ,  石井孝昌 ,  野村庆一

IPC: H01L27/146 ,  G01T1/24 ,  H01L29/786 ,  H04N5/32 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L27/14643 ,  H04N5/32

Abstract: 在具有形成在一个象素的光电探测器件和一个或多个与光电探测器件相连的薄膜晶体管的固态摄像设备中，光电探测器件的一部分形成在薄膜晶体管的至少一部分之上，薄膜晶体管由源电极、漏电极、第一栅电极和位于相对于源电极和漏电极与第一栅电极相对的面上的第二栅电极构成，每个象素中第一栅电极与第二栅电极相连，因此抑制了光电探测器件对TFT的负面影响、关闭的TFT的漏电、由于外界电场造成的阈值电压变化，且精确地将光生载流子传输到信号处理电路。

公开(公告)号：CN1254187A

公开(公告)日：2000-05-24

申请号：CN99118343.6

申请日：1999-08-31

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 渡边实 ,  海部纪之 ,  望月干织

IPC: H01L27/10 ,  H01L23/48

CPC classification number: G02F1/136204 ,  H01L27/0288 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/14609

Abstract: 在衬底上有多个薄膜晶体管和矩阵布线的半导体器件中,为了防止屏板制造过程中的静电破坏和提高生产率,通过电阻电连接矩阵布线。

公开(公告)号：CN100448013C

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200480004177.3

申请日：2004-02-10

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 渡边实 ,  森下正和 ,  望月干织 ,  石井孝昌 ,  野村庆一

IPC: H01L27/146 ,  G01T1/24 ,  H01L29/786 ,  H04N5/32 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L27/14643 ,  H04N5/32

Abstract: 在具有形成在一个象素的光电探测器件和一个或多个与光电探测器件相连的薄膜晶体管的固态摄像设备中，光电探测器件的一部分形成在薄膜晶体管的至少一部分之上，薄膜晶体管由源电极、漏电极、第一栅电极和位于相对于源电极和漏电极与第一栅电极相对的面上的第二栅电极构成，每个象素中第一栅电极与第二栅电极相连，因此抑制了光电探测器件对TFT的负面影响、关闭的TFT的漏电、由于外界电场造成的阈值电压变化，且精确地将光生载流子传输到信号处理电路。

公开(公告)号：CN1144292C

公开(公告)日：2004-03-31

申请号：CN99118343.6

申请日：1999-08-31

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 渡边实 ,  海部纪之 ,  望月干织

IPC: H01L27/10 ,  H01L23/48

CPC classification number: G02F1/136204 ,  H01L27/0288 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/14609

Abstract: 在衬底上有多个薄膜晶体管和矩阵布线的半导体器件中，为了防止屏板制造过程中的静电破坏和提高生产率，通过电阻电连接矩阵布线。