公开(公告)号：CN1175472C

公开(公告)日：2004-11-10

申请号：CN99108640.6

申请日：1999-06-18

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 水谷匡希 ,  谷川功 ,  中川克己 ,  庄司辰美 ,  浮世典孝 ,  岩崎由希子

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L21/76251 ,  C23C16/01 ,  C30B29/60 ,  C30B33/00 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/50 ,  Y10S156/93 ,  Y10S156/942 ,  Y10T156/1179 ,  Y10T156/1978

Abstract: 提供一种生产半导体薄膜的方法，其中在具有弯曲表面的支撑件弯曲表面上支撑形成于衬底上的半导体薄膜的同时，还旋转支撑件，从而将半导体薄膜从衬底上剥离下来。此外还提供生产半导体薄膜的方法，该方法包括将形成于衬底上半导体薄膜从衬底上剥离下来的步骤，其中在不用粘接剂将衬底固定于衬底支撑件上之后进行剥离步骤。这样提供将半导体薄膜从衬底上剥离下来而不使其损伤的方法和保持衬底而不使其沾污的方法。

公开(公告)号：CN1240302A

公开(公告)日：2000-01-05

申请号：CN99108640.6

申请日：1999-06-18

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 水谷匡希 ,  谷川功 ,  中川克己 ,  庄司辰美 ,  浮世典孝 ,  岩崎由希子

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L21/76251 ,  C23C16/01 ,  C30B29/60 ,  C30B33/00 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/50 ,  Y10S156/93 ,  Y10S156/942 ,  Y10T156/1179 ,  Y10T156/1978

Abstract: 提供一种生产半导体薄膜的方法,其中在具有弯曲表面的支撑件弯曲表面上支撑形成于衬底上的半导体薄膜的同时,还旋转支撑件,从而将半导体薄膜从衬底上剥离下来。此外还提供生产半导体薄膜的方法,该方法包括将形成于衬底上半导体薄膜从衬底上剥离下来的步骤,其中在不用粘接剂将衬底固定于衬底支撑件上之后进行剥离步骤。这样提供将半导体薄膜从衬底上剥离下来而不使其损伤的方法和保持衬底而不使其沾污的方法。