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公开(公告)号：CN117410296A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202310847703.7
申请日：2023-07-11
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开涉及半导体装置。提供了其中堆叠有半导体层的半导体装置。第一结构布置在第一半导体层与第二半导体层之间。第二结构布置在第二半导体层与第三半导体层之间。在到第三半导体层的正投影中，第三半导体层中布置有元件的区域是第一区域，并且第一区域与第三半导体层的周边部之间的区域是第二区域。在第二区域中，布置有延伸通过第三半导体层、第二结构和第二半导体层并且暴露布置在第一结构中的电极的开口。在第一区域与开口之间，在与第二半导体层相同的高度处布置有绝缘体。
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