公开(公告)号：CN104517983A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201410499673.6

申请日：2014-09-26

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 森山孝志 ,  箕轮雅章 ,  市川武史 ,  小川昌洋

IPC: H01L27/146 ,  H01L29/06 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L27/14607 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14649 ,  H01L27/14689 ,  H04N5/23293 ,  H04N5/265 ,  H04N5/33 ,  H04N5/374

Abstract: 本发明涉及固态成像装置、其制造方法和成像系统。固态成像装置包括：通过外延生长方法设置在基板上的第一导电类型的第一半导体区域；设置在第一半导体区域上的第一导电类型的第二半导体区域；和设置在第二半导体区域中以与第二半导体区域形成pn结的第二导电类型的第三半导体区域，其中，第一半导体区域被形成为使得杂质浓度从基板侧到第三半导体区域侧减小，并且第二半导体区域中的杂质浓度分布是通过离子注入方法形成的。

公开(公告)号：CN104517983B

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201410499673.6

申请日：2014-09-26

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 森山孝志 ,  箕轮雅章 ,  市川武史 ,  小川昌洋

IPC: H01L27/146 ,  H01L29/06 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L27/14607 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14649 ,  H01L27/14689 ,  H04N5/23293 ,  H04N5/265 ,  H04N5/33 ,  H04N5/374

Abstract: 本发明涉及固态成像装置、其制造方法和成像系统。固态成像装置包括：通过外延生长方法设置在基板上的第一导电类型的第一半导体区域；设置在第一半导体区域上的第一导电类型的第二半导体区域；和设置在第二半导体区域中以与第二半导体区域形成pn结的第二导电类型的第三半导体区域，其中，第一半导体区域被形成为使得杂质浓度从基板侧到第三半导体区域侧减小，并且第二半导体区域中的杂质浓度分布是通过离子注入方法形成的。