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公开(公告)号：CN102405442B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201080017422.X
申请日：2010-04-15
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G03G5/08
CPC classification number: G03G5/08221 , G03G5/08257 , G03G5/08264 , G03G5/08278 , G03G5/14704
Abstract: 公开一种电子照相感光构件，其具有在a-Si光导电层和a-SiC表面层之间设置的由五层以上的a-SiC中间层组成的变化层。当从在所述变化层中包括的a-SiC中间层中选择其中C/(Si+C)为0.35至0.65的彼此相邻的两层时，在所述光导电层侧的a-SiC中间层的C/(Si+C)与在所述表面层侧的a-SiC中间层的C/(Si+C)之间的增加率(即，层间增加率)为19％以下。
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公开(公告)号：CN100543591C
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200580027687.7
申请日：2005-08-18
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 本发明提供不降低减少图像缺陷的效果就可提高第1层与第2层的紧密接合性且可降低整体成本的负带电用电子照相感光体的制造方法、由该制造方法制造的负带电用电子照相感光体、及电子照相装置。其特征在于，将层叠了第1层并除去了至少突起的头顶部的基体设置到成膜炉内，用由至少包含周期表第13族元素的气体和从氢、氩、氦中选择的至少一种构成的稀释气体对上述第1层表面进行等离子处理，使由非单晶材料构成的层作为第2层层叠到上述第1层上。
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公开(公告)号：CN102405442A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201080017422.X
申请日：2010-04-15
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G03G5/08
CPC classification number: G03G5/08221 , G03G5/08257 , G03G5/08264 , G03G5/08278 , G03G5/14704
Abstract: 公开一种电子照相感光构件，其具有在a-Si光导电层和a-SiC表面层之间设置的由五层以上的a-SiC中间层组成的变化层。当从在所述变化层中包括的a-SiC中间层中选择其中C/(Si+C)为0.35至0.65的彼此相邻的两层时，在所述光导电层侧的a-SiC中间层的C/(Si+C)与在所述表面层侧的a-SiC中间层的C/(Si+C)之间的增加率(即，层间增加率)为19％以下。
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公开(公告)号：CN101006395A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200580027687.7
申请日：2005-08-18
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 本发明提供不降低减少图像缺陷的效果就可提高第1层与第2层的紧密接合性且可降低整体成本的负带电用电子照相感光体的制造方法、由该制造方法制造的负带电用电子照相感光体、及电子照相装置。其特征在于，将层叠了第1层并除去了至少突起的头顶部的基体设置到成膜炉内，用由至少包含周期表第13族元素的气体和从氢、氩、氦中选择的至少一种构成的稀释气体对上述第1层表面进行等离子处理，使由非单晶材料构成的层作为第2层层叠到上述第1层上。
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