通孔形成方法、喷墨头和硅衬底

    公开(公告)号:CN101386228B

    公开(公告)日:2010-12-22

    申请号:CN200810149116.6

    申请日:2008-09-12

    Abstract: 提供了一种通孔形成方法、喷墨头和硅衬底。该方法包括如下步骤:在将于硅衬底(101)的第一表面中形成通孔的区域周围形成第一杂质区域(102a),第一杂质区域(102)的杂质浓度高于硅衬底(101);沿硅衬底(101)的深度方向在邻近第一杂质区域(102a)的位置形成第二杂质区域(102b),第二杂质区域(102b)的杂质浓度高于第一杂质区域(102a);在第一表面上形成蚀刻停止层(103);在与第一表面相对的硅衬底(101)的第二表面上形成具有开口的蚀刻掩模层(104);和蚀刻硅衬底(101)直到通过开口露出至少蚀刻停止层(103)。

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