Patent search ap:("住友电气工业株式会社") AND inv:"近藤哲郎" Page 1

1.

发明公开
碳化硅基板、碳化硅单晶基板以及碳化硅半导体装置的制造方法审中-实审

公开(公告)号：CN116490646A

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202180067424.8

申请日：2021-07-27

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 樱田隆 , 西口太郞 , 近藤哲郎 , 松本直树 , 佐佐木信 , 山本裕史

IPC: C30B33/00

Abstract: 碳化硅半导体装置的制造方法包括以下的工序。在包含碳化硅单晶基板和设置在碳化硅单晶基板上的碳化硅外延膜的碳化硅基板中，形成成为二维位置坐标的基准的基准标记。在形成基准标记之后，对碳化硅基板的基准标记形成面进行研磨和清洗中的至少任意一种。基于基准标记，确定碳化硅基板上的缺陷的位置坐标。在碳化硅基板上形成元件活性区域。基于基准标记，确定元件活性区域的位置坐标。将缺陷的位置坐标与元件活性区域的位置坐标建立关联，进行元件活性区域的优劣判定。

Patent Agency Ranking