公开(公告)号：CN111356794B

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN201880074748.2

申请日：2018-02-23

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 善积祐介 ,  长田英树 ,  美浓部周吾 ,  羽木良明

IPC: C30B29/38 ,  C30B29/40 ,  H01L21/02

Abstract: 一种氮化镓晶体基板，所述氮化镓晶体基板具有50mm以上且155mm以下的直径并且具有300μm以上且800μm以下的厚度，并且在其外缘的一部分中包括平坦部和缺口部中的任一者。所述氮化镓晶体基板含有2×1017cm‑3以上且4×1018cm‑3以下的浓度的氧原子、硅原子和载流子中的任一种，并且在从所述平坦部起到在所述主表面中在与指示所述平坦部的直线垂直的方向上距离所述平坦部2mm的位置为止的宽度上延伸的第一平坦区域和从所述缺口部起到在所述主表面中在与指示所述缺口部的曲线垂直的方向上距离所述缺口部2mm的位置为止的宽度上延伸的第一缺口区域中的任一者中，所述氮化镓晶体基板具有1000cm‑2以上且5×107cm‑2以下的平均位错密度。

公开(公告)号：CN102666945A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN201080057660.3

申请日：2010-11-15

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 石桥惠二 ,  善积祐介 ,  美浓部周吾

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L33/32 ,  H01S5/343

CPC classification number: C30B29/403 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04

Abstract: 提供一种Ⅲ族氮化物晶体衬底（1），其中，在满足所述晶体衬底的任意特定平行晶格面（1d）的X射线衍射条件的同时，通过利用从所述晶体衬底的主表面（1s）起的X射线穿透深度的变化进行X射线衍射测量，来获得所述晶体衬底的所述特定平行晶格面（1d）的面间距，在由d1表示在X射线穿透深度为0.3μm时的面间距并且d2表示在X射线穿透深度为5μm时的面间距的情况下，由|d1–d2|/d2的值表示的晶体衬底的表面层的平均形变等于或低于1.7×10-3，并且，其中，主表面（1s）的面取向在[0001]方向上相对于包括晶体衬底的c轴（1c）的面（1v）具有等于或大于-10°且等于或小于10°的倾斜角。由此可以提供适合制造抑制了发光蓝移的发光器件的Ⅲ族氮化物晶体衬底、包含外延层的Ⅲ族氮化物晶体衬底、半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN111356794A

公开(公告)日：2020-06-30

申请号：CN201880074748.2

申请日：2018-02-23

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 善积祐介 ,  长田英树 ,  美浓部周吾 ,  羽木良明

IPC: C30B29/38 ,  C30B29/40 ,  H01L21/02

Abstract: 一种氮化镓晶体基板，所述氮化镓晶体基板具有50mm以上且155mm以下的直径并且具有300μm以上且800μm以下的厚度，并且在其外缘的一部分中包括平坦部和缺口部中的任一者。所述氮化镓晶体基板含有2×1017cm-3以上且4×1018cm-3以下的浓度的氧原子、硅原子和载流子中的任一种，并且在从所述平坦部起到在所述主表面中在与指示所述平坦部的直线垂直的方向上距离所述平坦部2mm的位置为止的宽度上延伸的第一平坦区域和从所述缺口部起到在所述主表面中在与指示所述缺口部的曲线垂直的方向上距离所述缺口部2mm的位置为止的宽度上延伸的第一缺口区域中的任一者中，所述氮化镓晶体基板具有1000cm-2以上且5×107cm-2以下的平均位错密度。