公开(公告)号：CN105580112A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201480053019.0

申请日：2014-08-05

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 堀井拓 ,  石田智章

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/20 ,  H01L21/22 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/046 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/045 ,  H01L21/0455 ,  H01L21/0465 ,  H01L21/049 ,  H01L21/22 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/739 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/872

Abstract: 一种制造碳化硅半导体器件的方法，包括：步骤(S1)，制备碳化硅衬底(100)，所述碳化硅衬底(100)具有第一主表面(P1)和位于第一主表面(P1)的相反侧的第二主表面(P2)；步骤(S2)，通过利用杂质掺杂第一主表面(P1)在碳化硅衬底(100)中形成掺杂区域；步骤(S3)，在第一主表面(P1)处的掺杂区域上形成第一保护膜(10)；和步骤(S5)，在已经形成的第一保护膜(10)的情况下通过退火激活在掺杂区域中包含的杂质，形成第一保护膜(10)的步骤(S3)包括在第一主表面(P1)上布置如下材料的步骤，所述材料将会形成第一保护膜(10)且其中金属元素的浓度小于或等于5μg/kg。