公开(公告)号：CN101815816A

公开(公告)日：2010-08-25

申请号：CN200880110221.7

申请日：2008-09-19

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 上松康二 ,  吉田浩章 ,  弘田龙 ,  藤原伸介 ,  田中晴子

IPC: C30B29/38 ,  C30B19/04

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B19/04

Abstract: 本发明公开了一种能够通过液相法生长大型晶体的生长III族氮化物晶体的方法。本发明具体公开了一种通过液相法生长III族氮化物晶体(10)的方法，所述生长III族氮化物晶体(10)的方法包括：准备III族氮化物晶体衬底(1)的步骤，所述衬底(1)具有与所述III族氮化物晶体(10)相同的化学组成，并具有0.5mm以上的厚度；以及将溶液与所述III族氮化物晶体衬底(1)的主面(1m)接触并且在所述主面(1m)上生长III族氮化物晶体(10)的步骤，所述溶液通过使含氮气体(5)溶于包含III族金属的溶剂(3)中而获得。