椤勃透镜及其制造方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1759505A

    公开(公告)日:2006-04-12

    申请号:CN200480006316.6

    申请日:2004-03-03

    Abstract: 一种具有单层结构或多层结构的椤勃透镜,该多层结构包括具有不同的介电常数的两个或多个层的组合,所述椤勃透镜是这样生产的:将聚链烯烃树脂和/或其衍生物与介电常数大的无机填充剂以99~50∶1~50的容积比混合;将发泡剂加入所得到的树脂混合物中,预先膨胀所得到的混合物为预先膨胀的小球,和模制所述预先膨胀的小球;其中该预先膨胀的小球;形成至少介电常数为1.5或更大的膨胀的介电质层,该预先膨胀的小球要进行分类和选择,其中f(A)的值由式子f(A)=σa/Aave所表达,其中σa为在该膨胀层中,气体的容积率Ar的偏差,Aave为在该膨胀层中满足关系0.0005≤f(A)≤0.1的位置上,气体的容积率Ar的平均值。

    用于半导体制造装置的陶瓷加热器

    公开(公告)号:CN104582019B

    公开(公告)日:2019-01-04

    申请号:CN201410039685.0

    申请日:2014-01-27

    Abstract: 本发明提供一种陶瓷加热器,其能够在晶片载放面整个表面上使温度分布均匀。陶瓷加热器(10)具有:内部埋设有电阻发热体的圆板形陶瓷基体(1);和接合于该陶瓷基体(1)的晶片载放面(1a)相反侧背面(1b)的圆筒形支持体(3),在该背面(1b)接合支持体(3)的环形接合区域(S1),分别以同心圆形状连接于接合区域(S1)的内周和外周,面积与接合区域(S1)均相同的环形内侧区域(S2)和外侧区域(S3)构成整个环形区域,位于其正上方的电阻发热体(2)的一部分的发热量除以该整个环形区域的面积的值,大于该电阻发热体(2)的一部分以外的电阻发热体(2)的其余部分的发热量除以背面(1b)减去该整个环形区域的面积的值。

    用于半导体制造装置的陶瓷加热器

    公开(公告)号:CN104582019A

    公开(公告)日:2015-04-29

    申请号:CN201410039685.0

    申请日:2014-01-27

    Abstract: 本发明提供一种陶瓷加热器,其能够在晶片载放面整个表面上使温度分布均匀。陶瓷加热器(10)具有:内部埋设有电阻发热体的圆板形陶瓷基体(1);和接合于该陶瓷基体(1)的晶片载放面(1a)相反侧背面(1b)的圆筒形支持体(3),在该背面(1b)接合支持体(3)的环形接合区域(S1),分别以同心圆形状连接于接合区域(S1)的内周和外周,面积与接合区域(S1)均相同的环形内侧区域(S2)和外侧区域(S3)构成整个环形区域,位于其正上方的电阻发热体(2)的一部分的发热量除以该整个环形区域的面积的值,大于该电阻发热体(2)的一部分以外的电阻发热体(2)的其余部分的发热量除以背面(1b)减去该整个环形区域的面积的值。

    椤勃透镜及其制造方法
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1759505B

    公开(公告)日:2010-05-26

    申请号:CN200480006316.6

    申请日:2004-03-03

    Abstract: 一种具有单层结构或多层结构的椤勃透镜,该多层结构包括具有不同的介电常数的两个或多个层的组合,所述椤勃透镜是这样生产的:将聚链烯烃树脂和/或其衍生物与介电常数大的无机填充剂以99~50∶1~50的容积比混合;将发泡剂加入所得到的树脂混合物中,预先膨胀所得到的混合物为预先膨胀的小球,和模制所述预先膨胀的小球;其中该预先膨胀的小球;形成至少介电常数为1.5或更大的膨胀的介电质层,该预先膨胀的小球要进行分类和选择,其中f(A)的值由式子f(A)=σa/Aave所表达,其中σa为在该膨胀层中,气体的容积率Ar的偏差,Aave为在该膨胀层中满足关系0.0005≤f(A)≤0.1的位置上,气体的容积率Ar的平均值。

    用于半导体制造装置的陶瓷加热器

    公开(公告)号:CN105282877B

    公开(公告)日:2019-10-25

    申请号:CN201510337068.3

    申请日:2015-06-17

    Abstract: 本发明涉及用于半导体制造装置的陶瓷加热器。一种陶瓷加热器1,其含有在上表面具有晶片载置面2a且在内部具备线状的电阻发热体4的陶瓷基体2、和与该陶瓷基体2的下表面接合的筒状支撑体3;其中,电阻发热体4具有电路图案,该电路图案包含相对于陶瓷基体2以同心圆状配置的多个周向延伸部4a、和与这些多个周向延伸部4a连接的半径方向延伸部4b;从垂直于晶片载置面2a的方向对该电路图案和陶瓷基体2下表面的与筒状支撑体3的接合区域2b一起进行观察时,在接合区域2b内不存在周向延伸部4a。

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