公开(公告)号：CN117177828A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202280017896.7

申请日：2022-03-04

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 小野聪 ,  阿侬萨克·帕索斯 ,  冈村克己

IPC: B23B27/14

Abstract: 一种切削工具，其具备基材和配置在所述基材上的覆膜，其中，所述覆膜包含硬质颗粒层，所述硬质颗粒层由包含钛、硅、碳以及氮的多个硬质颗粒构成，在所述硬质颗粒中，所述硅的浓度沿着在所述硬质颗粒内设定的第一方向而周期性地变化，所述硬质颗粒层的取向为(220)取向。

公开(公告)号：CN117203010B

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202280028944.2

申请日：2022-01-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 原田晴子 ,  小野聪 ,  阿侬萨克·帕索斯 ,  冈村克己

IPC: B23B27/14 ,  C23C16/36 ,  B23C5/16 ,  B23B51/00

Abstract: 一种切削工具，所述切削工具包含基材和配置在所述基材上的覆膜，其中，所述覆膜具备由多个硬质颗粒构成的第1层，所述硬质颗粒由具有立方晶型的晶体结构的TiSiCN构成，所述硬质颗粒具有硅的浓度相对高的层和硅的浓度相对低的层交替层叠而成的层状结构，所述硬质颗粒间的晶界区域中的硅的原子数ASi相对于所述硅的原子数ASi以及钛的原子数ATi的合计的百分率{ASi/(ASi+ATi)}×100的最大值大于所述第1层中的硅的原子数BSi相对于所述硅的原子数BSi以及钛的原子数BTi的合计的百分率{BSi/(BSi+BTi)}×100的平均值。

公开(公告)号：CN117203010A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202280028944.2

申请日：2022-01-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 原田晴子 ,  小野聪 ,  阿侬萨克·帕索斯 ,  冈村克己

IPC: B23B27/14

Abstract: 一种切削工具，所述切削工具包含基材和配置在所述基材上的覆膜，其中，所述覆膜具备由多个硬质颗粒构成的第1层，所述硬质颗粒由具有立方晶型的晶体结构的TiSiCN构成，所述硬质颗粒具有硅的浓度相对高的层和硅的浓度相对低的层交替层叠而成的层状结构，所述硬质颗粒间的晶界区域中的硅的原子数ASi相对于所述硅的原子数ASi以及钛的原子数ATi的合计的百分率{ASi/(ASi+ATi)}×100的最大值大于所述第1层中的硅的原子数BSi相对于所述硅的原子数BSi以及钛的原子数BTi的合计的百分率{BSi/(BSi+BTi)}×100的平均值。

公开(公告)号：CN116963861A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202280017972.4

申请日：2022-03-04

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 小野聪 ,  阿侬萨克·帕索斯 ,  冈村克己

IPC: B23B27/14

Abstract: 一种切削工具，其具备基材和配置在所述基材上的覆膜，其中，所述覆膜包含硬质颗粒层，所述硬质颗粒层由包含钛、硅、碳以及氮的多个硬质颗粒构成，在所述硬质颗粒中，所述硅的浓度沿着在所述硬质颗粒内设定的第一方向而周期性地变化，所述硬质颗粒层的取向为(422)取向。

公开(公告)号：CN116917070A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202280017891.4

申请日：2022-03-04

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 小野聪 ,  阿侬萨克·帕索斯 ,  冈村克己

IPC: B23B27/14

Abstract: 一种切削工具，其具备基材和配置在所述基材上的覆膜，其中，所述覆膜包含硬质颗粒层，所述硬质颗粒层由包含钛、硅、碳以及氮的多个硬质颗粒构成，在所述硬质颗粒中，所述硅的浓度沿着在所述硬质颗粒内设定的第一方向而周期性地变化，所述硬质颗粒层的取向为(311)取向。

公开(公告)号：CN116887935A

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN202280017215.7

申请日：2022-03-04

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 阿侬萨克·帕索斯 ,  小野聪 ,  冈村克己 ,  仓持幸治

IPC: B23B27/14

Abstract: 一种切削工具，所述切削工具包含基材和配置在所述基材上的覆膜，其中，所述覆膜具备由硬质颗粒构成的硬质颗粒层，所述硬质颗粒包含由第一单元层和第二单元层交替地层叠而成的多层结构，所述第一单元层由具有立方晶结构的第一化合物构成，所述第二单元层由具有立方晶结构的第二化合物构成，所述第一化合物以及所述第二化合物分别由以下元素构成：选自由周期表的第四族元素、第五族元素以及第六族元素组成的群组中的一种以上的金属元素；硅；以及选自由碳、氮、硼以及氧组成的群组中的一种以上的元素，所述第一单元层中的所述硅的原子数相对于所述金属元素以及所述硅的原子数的合计的百分率、与所述第二单元层中的所述硅的原子数相对于所述金属元素以及所述硅的原子数的合计的百分率不同。