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公开(公告)号：CN110600977A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910503095.1
申请日：2019-06-11
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本发明公开了一种包括第一光纤、第二光纤、第三光纤、第一透镜、第二透镜和第三透镜的光纤放大器。第一光纤的第一芯部和第二光纤的第二芯部在外周芯部的布置中彼此具有相似的布置。第一芯部具有芯部间距P1和传输光信号时的模场直径MFD1S，并且第一透镜在光信号的波长情况下具有焦距f1S。第二芯部具有芯部间距P2和传输光信号时的模场直径MFD2S，并且第二透镜在光信号的波长情况下具有焦距f2S。每个第一芯部的MFD1S是相应第二芯部的MFD2S×(P1/P2)的±25％内的值，并且每个第一芯部的MFD1S是相应第二芯部的MFD2S×(f1S/f2S)的±25％内的值。
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公开(公告)号：CN104297856B
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201410342601.0
申请日：2014-07-17
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: G02B6/35
Abstract: 本发明提供一种波长选择开关。光输入输出部具有：3个以上第1光输入输出端口，它们包含有第1光输入端口及第1光输出端口，在相对于规定轴线而朝向与规定轴线相交叉的第1方向倾斜的光轴上射入射出；3个以上第2光输入输出端口，它们包含有第2光输入端口及第2光输出端口，在相对于规定轴线而朝向第1方向倾斜的光轴上射入射出；以及调芯用端口，其在沿规定轴线的光轴上进行调芯用光的射入射出。第1光输入输出端口与第2光输入输出端口的射入射出角彼此不同。分光元件使第1及第2光输入输出端口的射入射出光的光轴，以与波长对应的角度朝向与规定轴线及第1方向相交叉的方向变化。光偏转元件具有第1光偏转部和第2光偏转部。
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公开(公告)号：CN115588896A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202210711224.8
申请日：2022-06-22
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 大塚节文
IPC: H01S3/067 , H04B10/291
Abstract: 本发明提供一种工作电流小的光放大器。光放大器(G)具有：一个或多个稀土类元素掺杂光纤(EF)，其分别包含一个或多个纤芯(Ce)；与工作电流相应地发出使掺杂于稀土类元素掺杂光纤(EF)的稀土类元素激励的激励光，针对稀土类元素掺杂光纤(EF)的每一个纤芯(Ce)而超过一个的数量的激励光源(L)；以及合成部(PB)，其将由针对每一个纤芯(Ce)而超过一个的数量的激励光源(L)分别发出的激励光(Lp)进行合成，纤芯(Ce)为合计两个以上，相对于纤芯(Ce)分别将由针对每一个纤芯(Ce)而超过一个的数量的激励光源(L)发出的激励光(Lp)合成而导入。
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公开(公告)号：CN112513690A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201880095990.8
申请日：2018-07-31
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 国立大学法人大阪大学
Abstract: 本实施例涉及具有用于将热能选择性地转换为电磁波的结构的辐射装置等。辐射装置包括导体层，半导体层和多个导体盘。多个导体盘布置在半导体层上，使得在具有矩形形状且边为4.5至5.5μm的多个单元构成区域中的每个中构成相同的布置图案。各个单元部件的布置图案包括对应于3×3矩阵的九个导体盘，并且九个导体盘包括直径彼此不同的四种或更多种的导体盘。结果，在半导体层上形成布置图案的二维周期性结构。
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公开(公告)号：CN104297856A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201410342601.0
申请日：2014-07-17
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: G02B6/35
CPC classification number: H04Q11/0005 , H04J14/02 , H04Q2011/0026 , H04Q2011/0035 , H04Q2011/0041 , H04Q2201/804 , G02B6/356 , G02B6/3512 , G02B6/3556
Abstract: 本发明提供一种波长选择开关。光输入输出部具有：3个以上第1光输入输出端口，它们包含有第1光输入端口及第1光输出端口，在相对于规定轴线而朝向与规定轴线相交叉的第1方向倾斜的光轴上射入射出；3个以上第2光输入输出端口，它们包含有第2光输入端口及第2光输出端口，在相对于规定轴线而朝向第1方向倾斜的光轴上射入射出；以及调芯用端口，其在沿规定轴线的光轴上进行调芯用光的射入射出。第1光输入输出端口与第2光输入输出端口的射入射出角彼此不同。分光元件使第1及第2光输入输出端口的射入射出光的光轴，以与波长对应的角度朝向与规定轴线及第1方向相交叉的方向变化。光偏转元件具有第1光偏转部和第2光偏转部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116134685A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202180060530.3
申请日：2021-06-18
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 大塚节文
IPC: H01S3/10
Abstract: 一个实施方式所涉及的多芯光纤模块具有：被用作光信号的传送路径的传送用MCF；具有与传送用MCF的纤芯的纤芯配置相似的纤芯配置的连接用MCF；以及夹设于传送用MCF及连接用MCF之间的中继透镜系统。中继透镜系统的中继倍率等于连接用MCF的纤芯间隔相对于传送用MCF的纤芯间隔之比。连接用MCF的前端面的纤芯被扩大为，连接用MCF的纤芯间隔和MFD之比等于传送用MCF的纤芯间隔和MFD之比。
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公开(公告)号：CN112840256A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201980067477.2
申请日：2019-10-10
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 一个实施方式所涉及的光模块是具有空间耦合部和包含多芯光纤(MCF)的第1光部件及第2光部件的光模块。第1光部件包含纤芯间的光耦合小的第1非耦合型MCF(20A)和与第1非耦合型MCF(20A)相比模场直径(MFD)大的第1耦合型MCF(20B)。第2光部件包含纤芯间的光耦合小的第2非耦合型MCF(30A)和与第2非耦合型MCF(30A)相比MFD大的第2耦合型MCF(30B)。在第1耦合型MCF(20B)及第2耦合型MCF(30B)中，沿MCF的长度方向串扰周期性地发生，第1耦合型MCF(20B)及第2耦合型MCF(30B)的长度的合计值设为抑制了串扰的长度(L)。
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公开(公告)号：CN105408798B
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201380078227.1
申请日：2013-07-17
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: G02B26/08
CPC classification number: G02B6/3594 , G02B6/2938 , G02B6/29392 , G02B6/32 , G02B6/3512 , G02B6/352 , G02B6/3534 , G02B6/3542 , G02B6/356 , G02B26/02
Abstract: 波长选择开关(1A)具备在规定的轴线(C)上排列配置的光输入输出部(10)、分光元件(20)以及光偏转元件(30)。光输入输出部(10)具有：第1部分(10a)，其在相对于规定的轴线(C)倾斜的光轴方向上进行光输入输出端口(11)的射入射出；以及第2部分(10b)，其在相对于规定的轴线(C)倾斜的光轴方向上进行光输入输出端口(12)的射入射出。以规定的轴线(C)为基准的光输入输出端口(11)的射入射出角和光输入输出端口(12)的射入射出角彼此不同。
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公开(公告)号：CN111665594B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202010142499.5
申请日：2020-03-04
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: G02B6/32
Abstract: 光连接构造具有第一空间复用传送路径、第二空间复用传送路径、第一透镜机构、第二透镜机构和第一光束直径变换部。第一空间复用传送路径具有多个第一传送路径。第二空间复用传送路径具有多个第二传送路径。第一透镜机构与第一空间复用传送路径光学耦合。第二透镜机构与第二空间复用传送路径光学耦合。第一光束直径变换部具有第一端面及第二端面，在第一空间复用传送路径和第一透镜机构间配置。第一透镜机构及第二透镜机构彼此光学耦合，在第一透镜机构和第二透镜机构间传输平行光。第一端面与第一空间复用传送路径相接。第二端面倾斜于与多个第一传送路径的中心轴垂直的面。第一光束直径变换部构成为第二端面的光的直径大于第一端面的光的直径。
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公开(公告)号：CN110600977B
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN201910503095.1
申请日：2019-06-11
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本发明公开了一种包括第一光纤、第二光纤、第三光纤、第一透镜、第二透镜和第三透镜的光纤放大器。第一光纤的第一芯部和第二光纤的第二芯部在外周芯部的布置中彼此具有相似的布置。第一芯部具有芯部间距P1和传输光信号时的模场直径MFD1S，并且第一透镜在光信号的波长情况下具有焦距f1S。第二芯部具有芯部间距P2和传输光信号时的模场直径MFD2S，并且第二透镜在光信号的波长情况下具有焦距f2S。每个第一芯部的MFD1S是相应第二芯部的MFD2S×(P1/P2)的±25％内的值，并且每个第一芯部的MFD1S是相应第二芯部的MFD2S×(f1S/f2S)的±25％内的值。
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