公开(公告)号：CN112335057B

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN201980041859.8

申请日：2019-08-08

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 堀勉 ,  塩见弘 ,  宫濑贵也

IPC: H01L29/78 ,  C23C16/30 ,  C23C16/42 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/161 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 碳化硅外延层包括第一碳化硅层、第二碳化硅层、第三碳化硅层以及第四碳化硅层。第二碳化硅层的氮浓度随着从第一碳化硅层朝向第三碳化硅层而增加。从第三碳化硅层的氮浓度减去第一碳化硅层的氮浓度而得到的值除以第二碳化硅层的厚度所得的值为6×1023cm‑4以下。在将第三碳化硅层的氮浓度设为Ncm‑3、将第三碳化硅层的厚度设为Xμm的情况下，X和N满足数学式1。

公开(公告)号：CN112335057A

公开(公告)日：2021-02-05

申请号：CN201980041859.8

申请日：2019-08-08

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 堀勉 ,  塩见弘 ,  宫濑贵也

IPC: H01L29/78 ,  C23C16/30 ,  C23C16/42 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/161 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 碳化硅外延层包括第一碳化硅层、第二碳化硅层、第三碳化硅层以及第四碳化硅层。第二碳化硅层的氮浓度随着从第一碳化硅层朝向第三碳化硅层而增加。从第三碳化硅层的氮浓度减去第一碳化硅层的氮浓度而得到的值除以第二碳化硅层的厚度所得的值为6×1023cm‑4以下。在将第三碳化硅层的氮浓度设为Ncm‑3、将第三碳化硅层的厚度设为Xμm的情况下，X和N满足数学式1。