公开(公告)号：CN1422028A

公开(公告)日：2003-06-04

申请号：CN02152744.X

申请日：2002-11-27

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 中泽悟 ,  村上泰典

IPC: H04J14/02 ,  H01S3/10 ,  H04B10/02 ,  H04B10/08 ,  G02F1/35

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S3/06754 ,  H01S3/094003 ,  H01S3/09415 ,  H01S3/1608 ,  H01S5/028 ,  H01S5/3434 ,  H01S2303/00

Abstract: 一种按照本发明的光放大器，包括：EDF光源装置，它有产生激励光束的半导体激光器单元和容纳这个半导体激光器单元的壳体；和光复用器，它有与光源装置光耦合的输入端，接收信号光束的输入端，和给EDF提供激励光束和信号光束的输出端。半导体激光器单元有激活层，激活层是在两个包层之间并包含互不相同导电类型的化合物半导体，半导体激光器单元包含化合物半导体，其结构是这样的，使这个半导体激光器单元在20℃时的振荡波长小于1470nm，但不小于1440nm。若具有这样的结构，则可以使EDF中增益相对于振荡波长的变化非常地小，以及可以使NF非常地小。