砷化镓单晶基板及其制造方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118679284A

    公开(公告)日:2024-09-20

    申请号:CN202280091084.7

    申请日:2022-09-16

    Abstract: 本发明提供一种砷化镓单晶基板,其具有圆形的主表面,并且具有第一积分强度比或第二积分强度比。第一积分强度比和第二积分强度比能够基于规定的X射线光电子能谱法通过砷和镓的图谱求出。第一积分强度比是作为一氧化二镓存在的镓元素的积分强度与作为三氧化二镓存在的镓元素的积分强度的和相对于作为砷化镓存在的镓元素的积分强度的比率,为12以下。第二积分强度比是作为一氧化二镓存在的镓元素的积分强度与作为三氧化二镓存在的镓元素的积分强度的和相对于作为五氧化二砷存在的砷元素的积分强度与作为三氧化二砷存在的砷元素的积分强度的和的比率,为1.2以下。长径为0.16μm以上的颗粒的个数在每1cm2的主表面中为2个以下。

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