导电性辊
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109478032B

    公开(公告)日:2021-08-24

    申请号:CN201780028684.8

    申请日:2017-06-22

    Abstract: 本发明提供一种在低温低湿环境下能够抑制调色剂压力的导电性辊(R)。电子照相设备用的导电性辊(R)具有表层(1)。使用原子力显微镜(AFM)测定的表层(1)的表面硬度直方图(10)中,表示最大峰值(P)时的表面硬度(H)处于10~55MPa的范围内,并且,表面硬度为45MPa以下的直方图部分相对于直方图整体的面积比例(S)为65%以上。

    电子照相设备用显影辊
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110178091A

    公开(公告)日:2019-08-27

    申请号:CN201880006985.5

    申请日:2018-02-22

    Abstract: 本发明提供一种兼顾高带电性的维持和除电性而抑制图像不良的电子照相设备用显影辊。电子照相设备用显影辊10具备轴体12、在轴体12的外周形成的弹性体层14、在弹性体层14的外周形成的中间层16以及在中间层16的外周形成的表层18,表层18的体积电阻率为1.0×1014~1.0×1020Ω·cm的范围内,中间层16的体积电阻率为1.0×107~1.0×1013Ω·cm的范围内。

    电子照相设备用显影辊
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110178091B

    公开(公告)日:2021-11-19

    申请号:CN201880006985.5

    申请日:2018-02-22

    Abstract: 本发明提供一种兼顾高带电性的维持和除电性而抑制图像不良的电子照相设备用显影辊。电子照相设备用显影辊10具备轴体12、在轴体12的外周形成的弹性体层14、在弹性体层14的外周形成的中间层16以及在中间层16的外周形成的表层18,表层18的体积电阻率为1.0×1014~1.0×1020Ω·cm的范围内,中间层16的体积电阻率为1.0×107~1.0×1013Ω·cm的范围内。

    导电性辊
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109478032A

    公开(公告)日:2019-03-15

    申请号:CN201780028684.8

    申请日:2017-06-22

    Abstract: 本发明提供一种在低温低湿环境下能够抑制调色剂压力的导电性辊(R)。电子照相设备用的导电性辊(R)具有表层(1)。使用原子力显微镜(AFM)测定的表层(1)的表面硬度直方图(10)中,表示最大峰值(P)时的表面硬度(H)处于10~55MPa的范围内,并且,表面硬度为45MPa以下的直方图部分相对于直方图整体的面积比例(S)为65%以上。

    电子照相设备用导电性辊以及电子照相设备用导电性辊的制造方法

    公开(公告)号:CN111615670B

    公开(公告)日:2022-11-22

    申请号:CN201980008555.1

    申请日:2019-02-18

    Abstract: 本发明提供一种能够抑制产品端部的膨胀以及产品硬度的偏差并且固化前的材料的流动性和储存稳定性优异的电子照相设备用导电性辊。电子照相设备用导电性辊10具备轴体12以及在轴体12的外周形成的非发泡的弹性体层14,弹性体层14由含有下述(a)~(d)的硅橡胶组合物的交联体构成,弹性体层14中的下述(d)的二次粒径在100~500nm的范围内:(a)有机聚硅氧烷;(b)交联剂;(c)由通过硅树脂以外的树脂将交联催化剂内包的树脂微粒构成的微胶囊型催化剂;(d)BET比表面积为70~350m2/g的二氧化硅。

    电子照相设备用导电性辊以及电子照相设备用导电性辊的制造方法

    公开(公告)号:CN111615670A

    公开(公告)日:2020-09-01

    申请号:CN201980008555.1

    申请日:2019-02-18

    Abstract: 本发明提供一种能够抑制产品端部的膨胀以及产品硬度的偏差并且固化前的材料的流动性和储存稳定性优异的电子照相设备用导电性辊。电子照相设备用导电性辊10具备轴体12以及在轴体12的外周形成的非发泡的弹性体层14,弹性体层14由含有下述(a)~(d)的硅橡胶组合物的交联体构成,弹性体层14中的下述(d)的二次粒径在100~500nm的范围内:(a)有机聚硅氧烷;(b)交联剂;(c)由通过硅树脂以外的树脂将交联催化剂内包的树脂微粒构成的微胶囊型催化剂;(d)BET比表面积为70~350m2/g的二氧化硅。

Patent Agency Ranking