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公开(公告)号：CN114423891B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202080066953.1
申请日：2020-10-09
Applicant: 住友化学株式会社
Inventor： 吉田丈洋
IPC: C30B29/40 , C30B25/18 , H01L21/205
Abstract: 氮化物半导体衬底，是具有2英寸以上的直径，并具有最近的低指数晶面为(0001)面的主面的氮化物半导体衬底，FWHM2{10－12}相对于FWHM1{10－12}的比率为80％以上。
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公开(公告)号：CN110777431B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN201811400336.1
申请日：2018-11-22
Applicant: 住友化学株式会社
Abstract: 本发明涉及一种氮化物晶体。本发明的课题在于，提高III族氮化物的晶体的品质，提高使用该晶体而制造的半导体设备的性能、成品率。本发明的解决手段是提供一种氮化物晶体，其是用InxAlyGa1‑x‑yN的组成式(其中，0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x+y≤1)表示的晶体，其通过最大载荷在1mN以上且50mN以下的范围内的纳米压痕法测定的硬度大于22.0GPa。
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公开(公告)号：CN115637491A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202211203575.4
申请日：2019-08-22
Inventor： 吉田丈洋
Abstract: 本发明涉及氮化物半导体基板的制造方法、氮化物半导体基板和层叠结构体。所述制造方法具有如下工序：准备基底基板的工序；第一工序，使具有露出(0001)面的顶面的III族氮化物半导体的单晶在基底基板的主面上直接外延生长，使顶面产生由除了(0001)面之外的倾斜界面构成的多个凹部，使该倾斜界面随着向基底基板的主面的上方去而缓缓扩大，使(0001)面从顶面消失，从而使表面仅由倾斜界面构成的第一层生长；以及第二工序，使III族氮化物半导体的单晶在第一层上外延生长，使倾斜界面消失，使具有经镜面化的表面的第二层生长。
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公开(公告)号：CN112639179B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN201980056250.8
申请日：2019-08-22
Applicant: 住友化学株式会社
Inventor： 吉田丈洋
Abstract: 本发明具有如下工序：准备基底基板的工序；在基底基板的主面上形成具有多个开口部的掩膜层的工序；第一工序，使表面仅由倾斜界面构成的第一层在基底基板的主面上生长；以及第二工序，使III族氮化物半导体的单晶在第一层上外延生长，使倾斜界面消失，使具有经镜面化的表面的第二层生长，在第一工序中，通过使单晶的顶面产生多个凹部，使(0001)面消失，从而在掩膜层的多个开口部之中的各1个开口部的上方形成至少1个谷部和多个顶部，观察与主面垂直的任意截面时，夹着1个谷部的多个顶部之中最接近的一对顶部彼此在沿着主面的方向上间隔的平均距离设为超过100μm。
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公开(公告)号：CN113366159A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202080011565.3
申请日：2020-01-23
Inventor： 吉田丈洋
Abstract: 一种氮化物半导体基板，其由III族氮化物半导体的单晶形成，且具有最近的低指数晶面为(0001)面的主面，所述氮化物半导体基板具有以除了(0001)面之外的倾斜界面作为生长面而生长的倾斜界面生长区域，倾斜界面生长区域在主面中所占的面积比例为80％以上，利用多光子激发显微镜以250μm见方的视野观察主面，由暗点密度求出位错密度时，主面中不存在位错密度超过3×106cm‑2的区域，主面以100个/cm2以上的密度具有不重叠的50μm见方的无位错区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112639178A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201980056200.X
申请日：2019-08-22
Inventor： 吉田丈洋
Abstract: 一种氮化物半导体基板，其具有2英寸以上的直径，且具有最近的低指数晶面为(0001)面的主面，隔着Ge(220)面的双晶单色器和狭缝对主面照射Cu的Kα1的X射线，进行(0002)面衍射的X射线摇摆曲线测定时，将狭缝的ω方向的宽度设为0.1mm时的(0002)面衍射的半值宽度FWHMb为32arcsec以下，从将狭缝的ω方向的宽度设为1mm时的(0002)面衍射的半值宽度FWHMa减去FWHMb而得到的差值FWHMa‑FWHMb为FWHMa的30％以下。
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公开(公告)号：CN109989110A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201811585112.2
申请日：2018-12-24
Abstract: 本发明涉及氮化物半导体基板及其制造方法、半导体层叠物及其制造方法、以及层叠结构体。提供一种能够增大(0001)面的曲率半径、使偏离角分布狭窄的技术。一种氮化物半导体基板，其由III族氮化物半导体的晶体形成，具有最近的低指数晶面为(0001)面的主面，沿着 轴的方向以及沿着与 轴垂直的 轴的方向中的任一方向的(0001)面相对于主面弯曲成凹球面状，且沿着 轴的方向以及沿着与 轴垂直的 轴的方向中的任一方向的(0001)面的曲率半径与另一方向的至少一部分(0001)面的曲率半径不同。
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公开(公告)号：CN113166971B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN201980081552.0
申请日：2019-11-29
Applicant: 住友化学株式会社
Inventor： 吉田丈洋
IPC: C30B29/38 , C23C16/01 , C23C16/34 , C30B25/02 , H01L21/205
Abstract: 一种氮化物半导体基板的制造方法，其使用了气相外延法，所述制造方法具有如下工序：准备基底基板的工序，所述基底基板由与III族氮化物半导体的单晶不同的材料形成；使基底层在基底基板的上方生长的工序；第一工序，使具有露出(0001)面的顶面的III族氮化物半导体的单晶在基底层的基底面上直接外延生长，使顶面产生由除了(0001)面之外的倾斜界面构成的多个凹部，使该倾斜界面随着向基底层的基底面的上方去而缓缓扩大，使(0001)面从顶面消失，从而使表面仅由倾斜界面构成的第一层生长；以及第二工序，使III族氮化物半导体的单晶在第一层上外延生长，使倾斜界面消失，使具有经镜面化的表面的第二层生长，在第一工序中，使单晶以(0001)面作为生长面并以规定的厚度生长后，使该单晶的顶面产生多个凹部。
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公开(公告)号：CN112601847B
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN201980056303.6
申请日：2019-08-22
Inventor： 吉田丈洋
Abstract: 本发明具有如下工序：准备基底基板的工序；第一工序，使具有露出(0001)面的顶面的III族氮化物半导体的单晶在基底基板的主面上直接外延生长，使顶面产生由除了(0001)面之外的倾斜界面构成的多个凹部，使该倾斜界面随着向基底基板的主面的上方去而缓缓扩大，使(0001)面从顶面消失，从而使表面仅由倾斜界面构成的第一层生长；以及第二工序，使III族氮化物半导体的单晶在第一层上外延生长，使倾斜界面消失，使具有经镜面化的表面的第二层生长，在第一工序中，在第一层的表面形成多个谷部和多个顶部，观察与主面垂直的任意截面时，夹着多个谷部之中的1个谷部的多个顶部之中最接近的一对顶部彼此在沿着主面的方向上间隔的平均距离设为超过100μm。
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