公开(公告)号：CN100566480C

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN200380107103.8

申请日：2003-12-01

Applicant: 伊菲雷知识产权公司 ,  三洋电机株式会社

Inventor： 浜田弘喜 ,  吉田功 ,  丹尼尔·J·西尔 ,  张辉 ,  杨迈之 ,  叶羽丰 ,  李武 ,  威廉·M·斯梅

IPC: H05B33/04 ,  H01L27/15 ,  H01L33/00 ,  H01L51/50

CPC classification number: B32B7/02 ,  C09K11/7745 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 ,  H05B33/22 ,  Y10S428/917 ,  Y10T428/26

Abstract: 本发明提供了一种新颖的厚膜介电电致发光显示器的子结构和一种包括这种子结构的厚膜介电电致发光显示器。该子结构包括一个在基板和厚膜介电层之间的阻挡层。阻挡层关于基板和厚膜介电层具有化学惰性，并且阻挡层抑制至少一种化学物质扩散穿过那里。这种子结构为厚介电层产生了较高的电容，其提供了较高的显示亮度和减小了厚介电层的介电击穿的趋势。阻挡层允许使用低成本的基板，例如玻璃。

公开(公告)号：CN100589672C

公开(公告)日：2010-02-10

申请号：CN02825726.X

申请日：2002-12-16

Applicant: 伊菲雷知识产权公司

Inventor： 李武 ,  吴承熙 ,  杨迈之 ,  吴兴炜 ,  李成义 ,  丹尼尔·J·西尔 ,  威廉·M·斯迈 ,  叶羽丰 ,  张辉

IPC: H05B33/10 ,  H05B33/14 ,  C03C8/16

CPC classification number: C03C17/36 ,  C03C8/14 ,  C03C8/16 ,  C03C8/20 ,  C03C17/3671 ,  C03C2217/452 ,  C03C2217/475 ,  C03C2217/948 ,  H05B33/10 ,  H05B33/145 ,  H05B33/22 ,  Y10S428/917 ,  Y10T428/25 ,  Y10T428/265

Abstract: 本发明涉及一种用于电致发光显示器的低焙烧温度的复合厚膜介电层。该复合厚膜介电层包括：(a)厚膜组合物的下部区域层，它包括：铌镁酸铅(PMN)、铌镁酸铅-钛酸铅(PMN-PT)、钛酸铅、钛酸钡和氧化铅中的一种或多种；含有氧化铅、氧化硼以及二氧化硅的玻璃粉组合物；(b)上部区域，它包括锆钛酸铅(PZT)和/或钛酸钡的至少一层，以及(c)含有(a)和(b)复合层的中间复合区域。

公开(公告)号：CN1729720A

公开(公告)日：2006-02-01

申请号：CN200380107103.8

申请日：2003-12-01

Applicant: 伊菲雷技术公司 ,  三洋电机株式会社

Inventor： 浜田弘喜 ,  吉田功 ,  丹尼尔·J·西尔 ,  张辉 ,  杨迈之 ,  叶羽丰 ,  李武 ,  威廉·M·斯梅

IPC: H05B33/04 ,  H01L27/15 ,  H01L33/00 ,  H01L51/50

CPC classification number: B32B7/02 ,  C09K11/7745 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 ,  H05B33/22 ,  Y10S428/917 ,  Y10T428/26

Abstract: 本发明提供了一种新颖的厚膜介电电致发光显示器的子结构和一种包括这种子结构的厚膜介电电致发光显示器。该子结构包括一个在基板和厚膜介电层之间的阻挡层。阻挡层关于基板和厚膜介电层具有化学惰性，并且阻挡层抑制至少一种化学物质扩散穿过那里。这种子结构为厚介电层产生了较高的电容，其提供了较高的显示亮度和减小了厚介电层的介电击穿的趋势。阻挡层允许使用低成本的基板，例如玻璃。