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公开(公告)号：CN105247360B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201480031070.1
申请日：2014-03-26
Applicant: 京瓷株式会社
Inventor： 胜田宏
CPC classification number: G01N29/022 , G01N29/30 , G01N29/44 , G01N29/4436 , G01N2291/012 , G01N2291/025 , G01N2291/0255 , G01N2291/0256 , G01N2291/0423
Abstract: 本发明提供一种兼具宽相位范围内的测定和小型且低消耗电流的检体传感器以及检体传感方法。即，根据从输出与检测部(111)的质量变化相应的检测信号的检测元件(110)、和输出与参考部(121)的质量相应的参考信号的参考元件(120)中获得的检测信号以及参考信号，以外差方式来求出相位变化值，并算出靶物的检测量的检体传感器以及检测传感方法。
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公开(公告)号：CN105247360A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201480031070.1
申请日：2014-03-26
Applicant: 京瓷株式会社
Inventor： 胜田宏
CPC classification number: G01N29/022 , G01N29/30 , G01N29/44 , G01N29/4436 , G01N2291/012 , G01N2291/025 , G01N2291/0255 , G01N2291/0256 , G01N2291/0423
Abstract: 本发明提供一种兼具宽相位范围内的测定和小型且低消耗电流的检体传感器以及检体传感方法。即，根据从输出与检测部(111)的质量变化相应的检测信号的检测元件(110)、和输出与参考部(121)的质量相应的参考信号的参考元件(120)中获得的检测信号以及参考信号，以外差方式来求出相位变化值，并算出靶物的检测量的检体传感器以及检测传感方法。
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公开(公告)号：CN106461612A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580027308.8
申请日：2015-08-31
Applicant: 京瓷株式会社
Inventor： 胜田宏
IPC: G01N29/02
CPC classification number: G01N29/041 , G01N29/022 , G01N29/30 , G01N29/348
Abstract: 本发明涉及能够由装置本身简单地得到基准相位差以及与其对应的基准电压的传感器装置。传感器装置(100)具备：第1信号产生器(SG1)，产生第1频率的信号(f1)以及第2频率的信号(f2)之中的至少一个；第2信号产生器(SG2)，产生第1频率的信号(f1)以及第2频率的信号(f2)之中的至少一个；以及计算部(140)，能够与第1信号产生器(SG1)以及第2信号产生器(SG2)的每一个连接，计算部(140)根据在将计算部(140)与第1信号产生器(SG1)连接的状态下从第1信号产生器(SG1)产生第1频率的信号(f1)而得到的第1基准信号以及在将计算部(140)与第2信号产生器(SG2)连接的状态下从第2信号产生器(SG2)产生第2频率的信号(f2)而得到的第2基准信号来得到基准相位差，并且根据第1基准信号和第2基准信号通过外差方式来算出与基准相位差对应的基准电压。
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公开(公告)号：CN1716481B
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN200510081034.9
申请日：2005-06-28
Applicant: 京瓷株式会社
CPC classification number: H01G5/38
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种波形失真和互调失真小、耐电性能优秀、损耗低的可变谐振电路。在高频信号的输入端子和输出端子之间，串联连接多个使用由施加电压改变介电常数的薄膜电介质层的可变电容元件，由于施加电压的高电位侧的第1偏置线和低电位侧的第2偏置线，与所述多个可变电容元件的相互连接的各个电极，和所述多个可变电容元件串联连接构成的可变电容元件列的输入端子以及输出端子上连接的各个电极交替连接，因此能够最大限度地利用偏置信号带来的可变电容值电容器的电容变化率，来在较宽的频率范围内改变谐振频率，并且能够获得在高频电子部件中波形失真和互调失真小、耐电性能优秀、即使在高频下损失也很低的可变电容值电容器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113826321A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202080030398.7
申请日：2020-04-22
Applicant: 京瓷株式会社
Abstract: 一种传感器装置，包括：基板，具有基板表面；第一IDT电极，设置在基板表面上；第二IDT电极，设置在基板表面上；波导；以及保护膜。波导设置在基板表面上并且在第一IDT电极与第二IDT电极之间。波导包括设置在基板表面上的第一固定层和设置在第一固定层上的第二固定层。当从平面图观察时，第二固定层设置在第一固定层的外边缘的内部。
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公开(公告)号：CN113924483A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202080037743.X
申请日：2020-05-29
Applicant: 京瓷株式会社
Abstract: 传感器装置(1)包括具有基板表面的基板、第一IDT电极(11)、第二IDT电极(12)和波导(20)。第一IDT电极与第二IDT电极位于基板表面上。波导位于基板表面上，且位于第一IDT电极与第二IDT电极之间。第一IDT电极和第二IDT电极中的至少一个包括参考电极(11G、12G)和信号电极(11A、12A)，参考电极和信号电极各自包括多个电极指(11X、12X)，多个电极指沿一个方向并列布置。第一IDT电极和第二IDT电极中的所述至少一个与波导之间的距离短于在该一个方向上参考电极与信号电极之间的间隔。
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公开(公告)号：CN107209153A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201680009243.9
申请日：2016-02-29
Applicant: 京瓷株式会社
Inventor： 胜田宏
IPC: G01N29/02 , G01N29/024 , H03H3/08
Abstract: 检测体液的测定方法具备如下步骤：准备传感器芯片的步骤，该传感器芯片在压电基板的上表面具有位于沿检测体液的流动方向的位置的多个SAW元件，所述多个SAW元件当中的参照用SAW元件以及检测用SAW元件具有表达式t·V＜L(其中，t是来自两SAW元件的数据读取间隔时间，V是检测体液的流速，L是两SAW元件的距离)的关系；使检测体液从参照用SAW元件以及检测用SAW元件的任意一方侧起按顺序流动的步骤；算出参照用SAW元件中的声表面波的相位θref以及所述检测用SAW元件中的声表面波的相位θtest的差、即相位差Δθ的时间上的变化的步骤；将所述相位差Δθ的时间上的变化当中的极值或该极值以后的时间点作为起点来进行检测对象的测定的步骤。
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公开(公告)号：CN107209153B
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN201680009243.9
申请日：2016-02-29
Applicant: 京瓷株式会社
Inventor： 胜田宏
IPC: G01N29/02 , G01N29/024 , H03H3/08
Abstract: 检测体液的测定方法具备如下步骤：准备传感器芯片的步骤，该传感器芯片在压电基板的上表面具有位于沿检测体液的流动方向的位置的多个SAW元件，所述多个SAW元件当中的参照用SAW元件以及检测用SAW元件具有表达式t·V＜L(其中，t是来自两SAW元件的数据读取间隔时间，V是检测体液的流速，L是两SAW元件的距离)的关系；使检测体液从参照用SAW元件以及检测用SAW元件的任意一方侧起按顺序流动的步骤；算出参照用SAW元件中的声表面波的相位θref以及所述检测用SAW元件中的声表面波的相位θtest的差、即相位差Δθ的时间上的变化的步骤；将所述相位差Δθ的时间上的变化当中的极值或该极值以后的时间点作为起点来进行检测对象的测定的步骤。
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