公开(公告)号：CN101133504B

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200680007195.6

申请日：2006-03-23

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 武田启三 ,  村上友子

IPC: H01L51/50

CPC classification number: H01L51/5262 ,  H01L27/3211 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/0062 ,  H01L51/0065 ,  H01L51/0081 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/5265 ,  H01L2251/5315 ,  H01L2251/558

Abstract: 本发明提供一种通过设置含有三芳基胺衍生物或咔唑衍生物等的表层来大幅度地提高光的取出效率的发光元件、具备该发光元件的发光装置及其制造方法。发光元件(1)是一种顶部发光结构的发光元件，在玻璃基板(10)上依次层叠由金属构成的阳极(11)、空穴输送层(12)、发光层(13)、电子输送层(14)、半透明阴极(15)及表层(16)而成。由于具有折射率高于半透明阴极(15)的表层(16)，所以可以大幅度地提高光的取出效率。另外，由于能够以不太高的温度成膜表层，所以对发光元件没有损伤。

公开(公告)号：CN101133504A

公开(公告)日：2008-02-27

申请号：CN200680007195.6

申请日：2006-03-23

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 武田启三 ,  村上友子

IPC: H01L51/50

CPC classification number: H01L51/5262 ,  H01L27/3211 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/0062 ,  H01L51/0065 ,  H01L51/0081 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/5265 ,  H01L2251/5315 ,  H01L2251/558

Abstract: 本发明提供一种通过设置含有三芳基胺衍生物或咔唑衍生物等的表层来大幅度地提高光的取出效率的发光元件、具备该发光元件的发光装置及其制造方法。发光元件(1)是一种顶部发光结构的发光元件，在玻璃基板(10)上依次层叠由金属构成的阳极(11)、空穴输送层(12)、发光层(13)、电子输送层(14)、半透明阴极(15)及表层(16)而成。由于具有折射率高于半透明阴极(15)的表层(16)，所以可以大幅度地提高光的取出效率。另外，由于能够以不太高的温度成膜表层，所以对发光元件没有损伤。