公开(公告)号：CN119213888A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202380041094.4

申请日：2023-05-02

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 佐野浩孝 ,  本城智郁

IPC: H10K39/12 ,  H10K30/40 ,  H10K30/88

Abstract: 本发明的太阳能电池模块(1)具有：复数个单元区域(2)，每一个单元区域(2)均包括太阳能电池元件；连接部。复数个单元区域(2)以沿第一方向平面排列的状态设置。太阳能电池元件基于入射光而发电。连接部呈将复数个单元区域(2)的太阳能电池元件串联地电连接的状态。太阳能电池元件包括第一电极层、第二电极层、位于第一电极层与所述第二电极层之间的半导体层(4b)。复数个单元区域(2)的至少一个包括物体部(5)。物体部(5)以俯视时与半导体层(4b)相邻的状态设置。物体部(5)具有带隙能量与半导体层(4b)不同的半导体或绝缘体。

公开(公告)号：CN104247045B

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201380016985.0

申请日：2013-03-28

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 宫本康治 ,  青野重雄 ,  本城智郁 ,  宫崎史朗 ,  田中政博 ,  新乐浩一郎 ,  黑部宪一

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/048 ,  H01L31/068

CPC classification number: H01L31/02167 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/048 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明提供一种通过提高钝化效果而提高转换效率的太阳能电池元件。该太阳能电池元件具备：p型的第一半导体区域及n型的第二半导体区域以第一半导体区域位于最靠第一主面侧且第二半导体区域位于最靠第二主面侧的方式重叠的半导体基板；和配置于第一半导体区域的第一主面侧的、包括铝的第一钝化膜。并且，在该太阳能电池元件中，在第一钝化膜的内部，铝的原子密度除以氧的原子密度所得的第一比率为0.613以上且不足0.667，并且铝的原子密度与氢的原子密度之和除以氧的原子密度所得的第二比率为0.667以上且不足0.786。

公开(公告)号：CN104247045A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201380016985.0

申请日：2013-03-28

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 宫本康治 ,  青野重雄 ,  本城智郁 ,  宫崎史朗 ,  田中政博 ,  新乐浩一郎 ,  黑部宪一

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/02167 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/048 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明提供一种通过提高钝化效果而提高转换效率的太阳能电池元件。该太阳能电池元件具备：p型的第一半导体区域及n型的第二半导体区域以第一半导体区域位于最靠第一主面侧且第二半导体区域位于最靠第二主面侧的方式重叠的半导体基板；和配置于第一半导体区域的第一主面侧的、包括铝的第一钝化膜。并且，在该太阳能电池元件中，在第一钝化膜的内部，铝的原子密度除以氧的原子密度所得的第一比率为0.613以上且不足0.667，并且铝的原子密度与氢的原子密度之和除以氧的原子密度所得的第二比率为0.667以上且不足0.786。