公开(公告)号：CN102217054B

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN200980145498.8

申请日：2009-11-13

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 右田靖

IPC: H01L21/683 ,  C23C14/50 ,  C23C16/46 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67103 ,  C23C14/50 ,  C23C16/4586 ,  H01L21/6831 ,  Y10T156/10

Abstract: 本发明提供一种通过提高均热性，能够减小施加于半导体晶片等的热的偏差的晶片加热装置。晶片加热装置(1)具备：上表面为平面的基底构件(3)；埋设有加热电极的绝缘层(5)；粘接于绝缘层(5)的上表面且上表面为晶片侧的均热板(13)；以及由含有填料的树脂构成并将绝缘层(5)的下表面粘接于基底构件(3)的上表面的粘接层(7)，其中，粘接层(7)至少具有基底构件(3)侧的第一粘接层(9)以及与绝缘层(5)相接的第二粘接层(11)这两层，第二粘接层(11)含有的填料为扁平形状，扁平形状的填料沿着第二粘接层(11)的面方向平坦排列。

公开(公告)号：CN101952952B

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN200980106231.8

申请日：2009-02-26

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 右田靖

IPC: H01L21/683

CPC classification number: H01L21/6833 ,  H02N13/00 ,  Y10T156/10 ,  Y10T428/2848

Abstract: 本发明提供一种均热性良好的晶片支承部。所述晶片支承构件具有基体、绝缘体、以及将基体与绝缘体接合的接合层，其中，接合层是包含第一层和位于比该第一层靠近绝缘体侧的第二层的多个层的层叠结构，第一层与所述第二层的厚度不同。

公开(公告)号：CN102217054A

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：CN200980145498.8

申请日：2009-11-13

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 右田靖

IPC: H01L21/683 ,  C23C14/50 ,  C23C16/46 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67103 ,  C23C14/50 ,  C23C16/4586 ,  H01L21/6831 ,  Y10T156/10

Abstract: 本发明提供一种通过提高均热性，能够减小施加于半导体晶片等的热的偏差的晶片加热装置。晶片加热装置(1)具备：上表面为平面的基底构件(3)；埋设有加热电极的绝缘层(5)；粘接于绝缘层(5)的上表面且上表面为晶片侧的均热板(13)；以及由含有填料的树脂构成并将绝缘层(5)的下表面粘接于基底构件(3)的上表面的粘接层(7)，其中，粘接层(7)至少具有基底构件(3)侧的第一粘接层(9)以及与绝缘层(5)相接的第二粘接层(11)这两层，第二粘接层(11)含有的填料为扁平形状，扁平形状的填料沿着第二粘接层(11)的面方向平坦排列。

公开(公告)号：CN101952952A

公开(公告)日：2011-01-19

申请号：CN200980106231.8

申请日：2009-02-26

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 右田靖

IPC: H01L21/683

CPC classification number: H01L21/6833 ,  H02N13/00 ,  Y10T156/10 ,  Y10T428/2848

Abstract: 本发明提供一种均热性良好的晶片支承部。所述晶片支承构件具有基体、绝缘体、以及将基体与绝缘体接合的接合层，其中，接合层是包含第一层和位于比该第一层靠近绝缘体侧的第二层的多个层的层叠结构，第一层与所述第二层的厚度不同。

公开(公告)号：CN100346463C

公开(公告)日：2007-10-31

申请号：CN200510059016.0

申请日：2005-03-24

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 中村恒彦 ,  右田靖 ,  松冈彻

IPC: H01L21/68

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/6831

Abstract: 本发明涉及晶片支撑部件，它由吸附部，设置在该吸附部下的树脂层，以及设置在该树脂层下的具有流入冷却介质的通道的导电性基础部构成，其特征在于：上述吸附部具有绝缘膜，将上述绝缘膜一侧主面作成装载晶片的装载面，并在另一侧主面具备吸附电极，该吸附电极被绝缘层所覆盖，上述吸附部的整体厚度为0.02～10.5mm，优选为0.02～2.0mm。

公开(公告)号：CN1674247A

公开(公告)日：2005-09-28

申请号：CN200510059016.0

申请日：2005-03-24

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 中村恒彦 ,  右田靖 ,  松冈彻

IPC: H01L21/68

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/6831

Abstract: 本发明涉及晶片等支撑部件，它由吸附部，设置在该吸附部下的树脂层，以及设置在该树脂层下的，具有通过流入冷却介质的通道的导电性基础部构成。其特征在于：上述吸附部具有绝缘膜，将上所述绝缘膜一侧主面作成装载晶片等的装载面，并在另一侧主面具备吸附电极，该吸附电极被绝缘层所覆盖，上述吸附部的整体厚度为0.02～10.5mm，最佳厚度为0.02～2.0mm。