GaN HEMT漏极控制电路及设备

    公开(公告)号:CN109768789A

    公开(公告)日:2019-05-17

    申请号:CN201811619641.X

    申请日:2018-12-28

    Abstract: 本申请涉及一种GaN HEMT漏极控制电路及设备。GaN HEMT漏极控制电路,包括:漏压开关驱动电路以及第一N型MOS管。漏压开关驱动电路的第一输入端用于连接外部电源,第二输入端用于接入漏压控制信号,第一输出端连接第一N型MOS管的栅极,第二输出端连接第一N型MOS管的漏极,第三输出端连接所述第一N型MOS管的源极;第一N型MOS管的源极用于连接GaN HEMT的漏极。基于上述结构,漏压开关驱动电路接收漏压控制信号,输出驱动信号给第一N型MOS管的栅极,控制第一N型MOS管漏源两极的通断;利用第一N型MOS管来控制GaN HEMT漏压的开与关,能够实现漏压开关的高速切换,同时,可降低漏极电源开关的损耗以及电路成本,提高电路的可靠性和效率。

    功率放大管的供电控制装置及其上电、下电控制方法

    公开(公告)号:CN103956979A

    公开(公告)日:2014-07-30

    申请号:CN201410129257.7

    申请日:2014-04-01

    Abstract: 一种功率放大管的供电控制装置及其上电、下电控制方法,该装置包括:MCU模块,温度采样模块,电压DAC模块,电源模块,漏极供电控制模块;通过MCU模块统一对功率放大管的漏极供电与栅极负电压供电的控制,对栅极负电压供电的控制能够方便快捷地动态调整负栅极电压大小,实现在不同工作温度下的自适应动态调整,结合对漏极供电的控制,保证了功放管的上掉电顺序的正确可靠,从而更好的保护功率放大管不会因不正确的上掉电时序而烧毁,满足功率放大管的上下电控制时序,确保功率放大管总是处于良好的工作状态下,提升了功率放大系统的可靠性。功率放大管的上电、下电控制方法,保证了功率放大管上、下电顺序的正确可靠,直接提升了整个功放系统的可靠性。

    GaN HEMT控制电路
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109462388A

    公开(公告)日:2019-03-12

    申请号:CN201811230522.5

    申请日:2018-10-22

    CPC classification number: H03K17/6871 H03K2217/0081

    Abstract: 本申请涉及一种GaN HEMT控制电路,包括栅压切换电路,以及连接GaN HEMT的栅极管脚的栅压端;栅压切换电路包括第一开关电路、第二开关电路以及第三开关电路;第一开关电路的第一端接入TDD切换信号,第一开关电路的第二端分别连接第二开关电路的第一端和第三开关电路的第一端;第二开关电路的第二端连接栅极电压源,第二开关电路的第三端连接栅压端;第三开关电路的第二端连接负电压电源端,第三开关电路的第三端连接栅压端。TDD切换信号可控制第一开关电路的通断,第一开关电路的通断可控制第二开关电路和第三开关电路的通断,能够切换栅压端的电压;基于上述结构,可利用TDD上下行切换信号,控制GaN HEMT的栅极电压,实现GaN HEMT的快速关断与开启。

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