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公开(公告)号:CN113196507A
公开(公告)日:2021-07-30
申请号:CN201980002305.7
申请日:2019-11-05
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方光电科技有限公司
IPC: H01L33/62
Abstract: 一种阵列基板及其制作方法、显示装置。所述阵列基板包括:透明硬质基底(102);设置在所述透明硬质基底(102)上的多个发光芯片(20),所述多个发光芯片(20)中的每个均包括相耦接的芯片本体(203)和引脚(201/202),所述芯片本体(203)的出光面朝向所述透明硬质基底(102),所述引脚(201/202)位于所述芯片本体(203)背向所述透明硬质基底(102)的一侧;设置在所述引脚(201/202)背向所述透明硬质基底(102)的一侧的驱动线路层(60),以及设置在所述驱动线路层(60)背向所述透明硬质基底(102)的一侧的驱动芯片结构(40),所述驱动芯片结构(40)通过所述驱动线路层(60)与所述多个发光芯片(20)的引脚(201/202)耦接,用于为所述多个发光芯片(20)提供驱动信号。
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公开(公告)号:CN109727968A
公开(公告)日:2019-05-07
申请号:CN201910142582.X
申请日:2019-02-26
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方光电科技有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L31/115 , H01L21/60
Abstract: 一种平板探测器以及制作方法。该平板探测器包括第一基板和第二基板。第一基板包括驱动电路,第二基板包括感光元件,第一基板与第二基板相对设置以对盒,驱动电路与感光元件电连接,以对感光元件进行驱动。该平板探测器不仅可以提升像素单元中光电二极管的填充率,扩大该平板探测器中像素单元的感光面积,还可以有效预防在使用过程中产生的静电及划伤,提升平板探测器的光电特性和良率。
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公开(公告)号:CN109727968B
公开(公告)日:2025-01-24
申请号:CN201910142582.X
申请日:2019-02-26
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方光电科技有限公司
Abstract: 一种平板探测器以及制作方法。该平板探测器包括第一基板和第二基板。第一基板包括驱动电路,第二基板包括感光元件,第一基板与第二基板相对设置以对盒,驱动电路与感光元件电连接,以对感光元件进行驱动。该平板探测器不仅可以提升像素单元中光电二极管的填充率,扩大该平板探测器中像素单元的感光面积,还可以有效预防在使用过程中产生的静电及划伤,提升平板探测器的光电特性和良率。
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公开(公告)号:CN109671729B
公开(公告)日:2021-04-09
申请号:CN201710967141.4
申请日:2017-10-17
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方光电科技有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种探测单元及其制作方法、平板探测器。该探测单元包括:衬底基板;位于衬底基板上的第一电极;位于第一电极远离衬底基板一侧的光电二极管;位于光电二极管远离第一电极一侧的透明电极和与透明电极电连接的第二电极,并且,光电二极管在衬底基板上的正投影完全落入第一电极在衬底基板的正投影内,在平行于衬底基板的平面上,透明电极位于光电二极管的中部,且光电二极管未被透明电极覆盖的部分在衬底基板上的正投影与第二电极在衬底基板上的正投影至少部分重叠。该探测单元可有效减小光电二极管的暗态漏电流以提升该探测单元的光电特性。
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公开(公告)号:CN109671729A
公开(公告)日:2019-04-23
申请号:CN201710967141.4
申请日:2017-10-17
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方光电科技有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种探测单元及其制作方法、平板探测器。该探测单元包括:衬底基板;位于衬底基板上的第一电极;位于第一电极远离衬底基板一侧的光电二极管;位于光电二极管远离第一电极一侧的透明电极和与透明电极电连接的第二电极,并且,光电二极管在衬底基板上的正投影完全落入第一电极在衬底基板的正投影内,在平行于衬底基板的平面上,透明电极位于光电二极管的中部,且光电二极管未被透明电极覆盖的部分在衬底基板上的正投影与第二电极在衬底基板上的正投影至少部分重叠。该探测单元可有效减小光电二极管的暗态漏电流以提升该探测单元的光电特性。
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公开(公告)号:CN209199927U
公开(公告)日:2019-08-02
申请号:CN201920241982.1
申请日:2019-02-26
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方光电科技有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L31/115 , H01L21/60
Abstract: 一种平板探测器。该平板探测器包括第一基板和第二基板。第一基板包括驱动电路,第二基板包括感光元件,第一基板与第二基板相对设置以对盒,驱动电路与感光元件电连接,以对感光元件进行驱动。该平板探测器不仅可以提升像素单元中光电二极管的填充率,扩大该平板探测器中像素单元的感光面积,还可以有效预防在使用过程中产生的静电及划伤,提升平板探测器的光电特性和良率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号:CN105720063B
公开(公告)日:2019-02-15
申请号:CN201610229060.X
申请日:2016-04-13
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , KA图像
Inventor: 林家强
IPC: H01L27/12 , H01L21/77 , H01L21/768 , H01L27/14
Abstract: 一种阵列基板及其制备方法、传感器和探测设备。该阵列基板,包括:衬底基板;薄膜晶体管,设置于所述衬底基板上,所述薄膜晶体管包括源极和有源层;钝化层,设置于所述薄膜晶体管上;第一金属层,设置于所述钝化层上;绝缘层,设置于所述第一金属层上;过孔结构,贯穿所述绝缘层、所述第一金属层和所述钝化层;检测单元,设置于所述绝缘层上,所述检测单元包括第二金属层;其中,所述第二金属层通过所述过孔结构与所述源极直接接触。在制作该结构的阵列基板的过程中,可在同一构图工艺中对第一金属层和钝化层进行构图,合并了制作工序,便于生产,同时节省了生产成本。
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公开(公告)号:CN103698914B
公开(公告)日:2017-04-05
申请号:CN201310706112.4
申请日:2013-12-19
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
Inventor: 林家强
CPC classification number: G02B27/2214 , G02F1/133512 , G02F1/134309 , G02F1/13439 , G02F1/1347 , G02F1/29 , G02F2201/30 , H04N13/31
Abstract: 本发明提供一种液晶光栅、显示装置及驱动方法。该液晶光栅包括多个用于形成黑暗条纹与透光条纹的光栅元件组,且每一光栅元件组的黑暗条纹与相邻光栅元件组的透光条纹相邻,每一光栅元件组包括平行排列的多个第一光栅元件和至少一个第二光栅元件,其中第一光栅元件的至少一个透光,用于形成为光栅元件组的透光条纹,不同的第一光栅元件透光导致透光条纹的位置变化,所述第二光栅元件不透光,不透光的所述第一光栅元件和所述第二光栅元件用于形成为所述光栅元件组的黑暗条纹,且所述第二光栅元件的宽度大于所述第一光栅元件的宽度。该液晶光栅的狭缝位置可以调节,解决现有技术电极数目过多造成容易短路产生线缺陷的问题。
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公开(公告)号:CN103713441B
公开(公告)日:2016-09-07
申请号:CN201310745494.1
申请日:2013-12-30
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: G02F1/29
CPC classification number: G02B27/225 , G02B27/22 , G02F1/1337 , G02F1/13439 , G02F1/29 , G02F2001/133357 , G02F2001/294
Abstract: 本发明提供一种液晶透镜及其制作方法、显示装置,属于显示技术领域,包括第一基板、第二基板、位于第一基板和第二基板之间的液晶层、以及位于所述第一基板上靠近所述液晶层的一侧设置的第一透明电极层和第一液晶配向层,第二基板靠近液晶层的一侧设置的第二透明电极层和第二液晶配向层,所述液晶透镜还包括设于所述第一透明电极层和第一液晶配向层之间的平坦层。本发明通过在第一透明电极层和第一液晶配向层之间形成平坦层,将第一液晶配向层移至侧向电场较弱的位置,从而减少了液晶相错,提高了液晶透镜的折射效果。
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公开(公告)号:CN104865809A
公开(公告)日:2015-08-26
申请号:CN201510337933.4
申请日:2015-06-17
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: G03H1/22
Abstract: 本发明提供了一种显示装置及显示器,用以在实现观看对象超近距离的立体显示的情况下,可以减少显示装置的厚度和重量,并且提高观看对象的保密性。该显示装置包括:控制模块,用于产生观看对象的傅里叶变换全息图;与所述控制模块连接的空间光调制器,用于显示所述控制模块产生的傅里叶变换全息图;以及与所述空间光调制器连接的固定结构,用于使所述空间光调制器与用户眼睛之间的距离保持在预设距离范围内,该预设距离范围为16.6mm-17.6mm。
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