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公开(公告)号：CN117116950A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311101661.9
申请日：2023-08-29
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
IPC: H01L27/12 , H01L21/77 , H10K59/121
Abstract: 本申请公开一种阵列基板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，包括位于电容区域内的第一薄膜晶体管以及位于非电容区域内的第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管以及所述第二薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管，其中，所述第一薄膜晶体管包括依次层叠设置的基板、第一有源层、第一栅绝缘层、第一栅极、第二栅绝缘层以及第一源漏电极，所述第一源漏电极与所述第一有源层连接；所述第一有源层包括轻掺杂区；所述第二栅绝缘层包括中心部和边缘部，所述中心部整面覆盖所述第一栅极，所述边缘部在所述基板上的正投影与所述轻掺杂区在所述基板上的正投影重合。
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公开(公告)号：CN117038739A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311083737.X
申请日：2023-08-25
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L29/08 , H01L27/12 , H10K59/12 , H01L21/336
Abstract: 公开一种薄膜晶体管及其制作方法、显示基板，薄膜晶体管包括设置在衬底基板上的多晶硅有源层，多晶硅有源层包括源极连接区、漏极连接区以及连接在二者之间的沟道区；薄膜晶体管还包括：第一掺杂层和第二掺杂层，第一掺杂层位于源极连接区远离衬底基板的表面上，第二掺杂层位于漏极连接区远离衬底基板的表面上；第一掺杂层和第二掺杂层的材料均包括含有掺杂离子的非晶硅；源极连接区和漏极连接区中均含有掺杂离子，源极连接区朝向第一掺杂层的表面的掺杂浓度大于源极连接区内部的掺杂浓度，漏极连接区朝向第二掺杂层的表面的掺杂浓度大于漏极连接区内部的掺杂浓度。
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公开(公告)号：CN115954327A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202211567419.6
申请日：2022-12-07
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: H01L21/78 , H01L21/265 , H01L27/12
Abstract: 本发明公开了一种半导体结构、显示面板及制备方法。制备方法包括：对半导体衬底进行离子注入，以在所述半导体衬底内形成缺陷层；沿所述缺陷层将所述半导体衬底表层的半导体薄膜从所述半导体衬底上剥离；在表面固定有所述半导体薄膜的目标衬底上制备半导体结构。通过本发明提供了一种晶粒尺寸更大，载流子迁移率更高的半导体薄膜结构。
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公开(公告)号：CN117241624A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311438039.7
申请日：2023-10-31
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
IPC: H10K59/131 , H10K59/121 , H10K59/12
Abstract: 本公开的实施例提供了一种显示基板及其制备方法、显示面板、显示装置，涉及显示技术领域，以缩减像素驱动电路占用的面积，提升显示面板的分辨率。该显示基板包括像素驱动电路，至少一个像素驱动电路包括第一低温多晶硅晶体管和第二低温多晶硅晶体管，第一低温多晶硅晶体管包括第一有源部，第二低温多晶硅晶体管包括第二有源部。显示基板还包括依次设置的衬底、第一半导体层、第一导电层、第一平坦层、第二半导体层和第二导电层。第一半导体层包括第一有源部。第一导电层包括第一栅线。第二半导体层包括第二有源部。第二有源部和第一有源部在衬底上的正投影至少部分交叠。上述显示基板用于制备显示面板。
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公开(公告)号：CN119486439A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202310953514.8
申请日：2023-07-31
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
Abstract: 本申请公开了一种发光组件及其制备方法、显示面板，涉及显示技术领域。发光组件包括引脚，基底，驱动单元，发光单元，位于基底内部的连接衬垫，以及通过基底的第一过孔与连接衬垫连接的连接走线，连接走线还和驱动单元连接。由于连接衬垫包括沿远离引脚的方向层叠的第一金属层和第二金属层，且第二金属层的厚度大于第二金属层的厚度，因此连接衬垫的厚度可以较厚，即连接衬垫远离引脚的表面与基底远离引脚的表面之间的距离较小，连接衬垫远离远离引脚的表面与基底远离引脚的表面的平坦效果较好。由此，即使将驱动单元设置在第一过孔的所在区域，也可以保证驱动单元的性能，而且还能充分利用版图空间，驱动单元的布局更为灵活。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118870849A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202310463150.5
申请日：2023-04-26
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
IPC: H10K50/17 , H10K50/155 , H10K50/165 , H10K71/00
Abstract: 本发明涉及一种发光器件和用于制造发光器件的方法。所述发光器件包括：衬底：设置在所述衬底上的第一电极和设置在所述第一电极的远离所述衬底的表面上的第二电极；设置在所述第一电极和所述第二电极之间的发光功能层，其中，所述发光功能层包括用于形成像素的至少一个发光单元，所述至少一个发光单元中的至少一个包括至少两个未掺杂区和至少一个第一掺杂区，在平行于所述衬底的所述表面的方向上，所述至少一个第一掺杂区位于所述至少两个未掺杂区之间，并且其中，所述未掺杂区的导电性大于所述第一掺杂区的导电性。
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公开(公告)号：CN117191227A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311181512.8
申请日：2023-09-13
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
IPC: G01L1/14
Abstract: 本公开提供一种压力传感器及其制备方法，属于传感器技术领域。本公开的压力传感器，包括多个呈阵列排布的电容、多个微腔结构、第一缓冲层，以及第二缓冲层；第一缓冲层和第二缓冲层位于电容的第一极板和第二极板之间；其中，一个微腔结构位于一个电容的第一极板和第二极板之间，且贯穿第一缓冲层和第二缓冲层。
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公开(公告)号：CN119922977A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202311436197.9
申请日：2023-10-31
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
IPC: H10D86/40 , H10D86/01 , H10H29/30 , H10H29/39 , G02F1/13357
Abstract: 本公开的实施例提供了一种阵列基板及其制备方法、发光基板、显示模组、显示装置，涉及显示技术领域，以提高显示装置的分辨率。该阵列基板包括衬底、绑定电极和线路层。衬底设有第一过孔。绑定电极设置与第一过孔内；绑定电极被配置为连接电路板。线路层设置于衬底上。线路层包括多个像素驱动电路，像素驱动电路与绑定电极连接。像素驱动电路包括氧化物晶体管，至少一个氧化物晶体管在参考面上的正投影，位于第一过孔靠近线路层的开口在参考面上的正投影的范围内。参考面为衬底远离线路层的表面所在的平面。上述阵列基板用于制备发光基板。
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公开(公告)号：CN119165698A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202310739008.9
申请日：2023-06-20
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1335 , G02F1/1333 , G09F9/35
Abstract: 本发明涉及显示设备技术领域，公开了一种显示基板、其制备方法及显示装置，该显示设备包括：衬底基板，衬底基板具有相背的第一侧面和第二侧面；黑矩阵，黑矩阵位于衬底基板的第一侧面上，黑矩阵具有多个开口，黑矩阵包括沿第一方向依次层叠设置的第一遮光层和第二遮光层，第一遮光层的材料为金属材料，第二遮光层的材料为金属半导体氧化物材料，第一方向为第二侧面指向第一侧面的方向。该显示设备有利于实现高分辨率，同时能够显著降低黑矩阵的反射率，提高显示效果。
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公开(公告)号：CN118281011A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410383094.9
申请日：2024-03-29
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，阵列基板包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，第一薄膜晶体管包括第一有源区，第二薄膜晶体管包括第二有源区，阵列基板包括：衬底；第一半导体层，设置在衬底的一侧，包括第一有源区；第二半导体层，设置在第一半导体层背离衬底的一侧，包括第二有源区，第二有源区在衬底上的正投影与第一有源区在衬底上的正投影至少部分交叠；第一导电层，设置在第一半导体层与第二半导体层之间，包括栅极区，在衬底上的正投影中，栅极区分别与第一有源区以及第二有源区至少部分交叠，第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管共用栅极区。
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