一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置

    公开(公告)号:CN111244129B

    公开(公告)日:2021-10-22

    申请号:CN201910526074.1

    申请日:2019-06-18

    Abstract: 本发明涉及显示技术领域,公开了一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置,该阵列基板包括衬底基板、位于衬底基板显示区域内呈阵列方式分布的薄膜晶体管以及位于衬底基板背离薄膜晶体管一侧的多条数据线,衬底基板上形成有与薄膜晶体管一一对应的第一通孔,第一通孔内贯穿设置有第一导电结构,薄膜晶体管的源极通过对应的第一通孔内的第一导电结构与数据线电连接,衬底基板背离薄膜晶体管的一侧还形成有数据线周边走线和数据线绑定电极,各数据线与数据线绑定电极通过数据线周边走线电连接。该阵列基板中,集成电路可以在衬底基板背离薄膜晶体管的一侧与数据线绑定电极电连接,衬底基板可以不需要设计边框区,进而实现窄边框或无边框设计。

    发光器件和显示装置
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110649172A

    公开(公告)日:2020-01-03

    申请号:CN201910935140.0

    申请日:2019-09-29

    Inventor: 焦志强 柳在一

    Abstract: 本申请提供了一种发光器件和显示装置。该发光器件包括:依次设置的基板、阳极、空穴注入层、第一空穴传输层、第一电子阻挡层、第一发光层、第一电子传输层、电子注入层以及阴极。发光器件还包括:第一缓冲阻挡层,设置在第一发光层和电子注入层之间,用于阻挡预设金属原子扩散至发光器件中的第一发光层。本申请中第一缓冲阻挡层可以用于阻挡预设金属原子(例如,锂原子)扩散至发光器件中的第一发光层、以及第一发光层与其它层之间的界面,大大降低预设金属原子形成猝灭中心以及影响界面特性的几率,而且电荷可以通过隧穿效应穿过第一缓冲阻挡层,在不影响发光器件的电荷传输的同时,可提升发光器件的发光效率和寿命。

    转接基板及其制造方法、阵列基板及显示装置

    公开(公告)号:CN109524421B

    公开(公告)日:2024-06-18

    申请号:CN201910008594.3

    申请日:2019-01-04

    Abstract: 本发明公开了一种转接基板及其制造方法、阵列基板及显示装置,属于显示技术领域。包括:基板本体,基板本体上设置有多个转接过孔,转接过孔中填充有导电材料;位于基板本体至少一侧的过孔保护层,过孔保护层包括沿远离基板本体的方向层叠设置的导电层和绝缘保护层,导电层包括相互绝缘的多个导电图案,绝缘保护层上设置有多个第一通孔。通过在转接基板设置有过孔保护层的一侧制备显示器件,显示器件中的部分结构可以通过第一通孔与导电图案实现电连接,以间接实现与转接过孔中导电材料的电连接,降低了在显示器件制备过程中导电材料所受的温度,可以减小导电材料的膨胀量,提高显示基板的制备良率。

Patent Agency Ranking