公开(公告)号：CN115274712A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202210975633.9

申请日：2022-08-15

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 刘威 ,  刘凤娟 ,  王浩然 ,  卢昱行

IPC: H01L27/12 ,  H01L27/15 ,  H01L27/32 ,  H01L21/77

Abstract: 一种显示背板及其制备方法、显示装置。显示背板包括基底，基底划分为像素区和透光区，显示背板包括：位于像素区的驱动结构层，设置在基底上，包括第一类晶体管和第二类晶体管；位于像素区和透光区的第一隔离层，设置在驱动结构层远离基底的一侧，第一隔离层在基底上的正投影包含第二类晶体管在基底上的正投影、且和第一类晶体管在基底上的正投影至少部分交叠；位于像素区的导电图案层，设置在第一隔离层远离基底的一侧；位于像素区的第二隔离层，设置在导电图案层远离基底的一侧，第二隔离层在基底上的正投影包含第二类晶体管和第一类晶体管在基底上的正投影；第一隔离层和第二隔离层的材料包括有机硅氧烷材料，且远离基底一侧的表面为平面。

公开(公告)号：CN119031756A

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202310594461.5

申请日：2023-05-24

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方技术开发有限公司

Inventor： 卢昱行 ,  刘凤娟 ,  孙宏达 ,  王东方 ,  郭晖

IPC: H10K59/121 ,  H10K59/131 ,  H10K59/12 ,  G02F1/1362

Abstract: 本公开实施例提供一种基板及其制备方法、显示面板、显示装置。基板包括依次设置在衬底上的第一金属层、第一绝缘层、有源层、第二绝缘层及第二金属层，第一金属层包括信号线，第二绝缘层设有第一过孔，第一过孔包括相互连通的第一子孔和第二子孔，有源层的部分表面位于第一子孔所在区域，信号线的部分表面位于第二子孔所在区域，有源层与第一子孔的交叠部分包括第一子部分和靠近第二子孔的第二子部分，第一子部分相对于第二子部分朝向衬底方向凹陷形成第一凹陷表面，第一凹陷表面被导体化预设厚度，第二金属层包括第一极，第一极通过第一子孔与第二子部分的表面搭接，第一极通过第二子孔与信号线连接。本公开技术方案可以降低有源层导体化电阻。

公开(公告)号：CN116249393A

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN202310101343.6

申请日：2023-01-20

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 周天民 ,  刘凤娟 ,  王利忠 ,  刘威 ,  卢昱行 ,  宁策 ,  许程 ,  周丹丹

IPC: H10K59/121 ,  H10K59/12

Abstract: 本公开提供一种显示背板，所述显示背板被划分为多个像素单元，所述显示背板包括分别设置在多个所述像素单元中的多个像素电路，其中，所述像素电路包括第二晶体管和至少一个第一晶体管，所述第一晶体管包括沿所述显示背板的厚度方向依次设置的第一有源层和第一栅绝缘层，所述第二晶体管包括沿所述显示背板的厚度方向依次设置的第二有源层和第二栅绝缘层，所述第一有源层由第一氧化物制成，所述第二有源层由第二氧化物制成，所述第一氧化物的迁移率小于所述第二氧化物的迁移率，所述第一有源层与所述第二有源层位于不同层，所述第一栅绝缘层和所述第二栅绝缘层位于不同层。本公开还提供一种显示背板的制作方法和一种显示面板。

公开(公告)号：CN119452756A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202480000329.X

申请日：2024-02-23

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方技术开发有限公司

Inventor： 王东方 ,  孙宏达 ,  卢昱行 ,  贺家煜 ,  王浩然

IPC: H10D86/40 ,  H01L21/77 ,  G02F1/1362

Abstract: 一种阵列基板。所述阵列基板包括衬底基板、信号线、第一绝缘层、有源层和第一过孔。所述信号线位于所述衬底基板上。所述第一绝缘层位于所述信号线远离所述衬底基板的一侧。所述有源层位于所述第一绝缘层远离所述衬底基板的一侧；所述有源层包括第一部、第二部以及位于所述第一部和所述第二部之间的沟道结构。所述第一过孔至少贯穿所述第一绝缘层，且至少暴露部分所述信号线。所述第一部被配置为通过所述第一过孔与所述信号线连接；所述第二部和所述第一部的材料与所述沟道结构的材料相同；以及，所述沟道结构的导电性与所述第一部的导电性不同，并且与所述第二部的导电性不同。

公开(公告)号：CN113053447B

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202110280954.2

申请日：2021-03-16

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 刘凤娟 ,  宁策 ,  刘威 ,  谢蒂旎 ,  卢昱行

IPC: G11C19/28 ,  G09G3/3266 ,  G09G3/36

Abstract: 本公开提供了一种移位寄存器单元、驱动方法、栅极驱动电路及显示装置，属于显示技术领域。该移位寄存器单元包括：输入电路、补偿控制电路和输出电路。该输入电路能够在输入信号端提供的输入信号的控制下，控制第一节点的电位，且能够在输入信号和输入控制端提供的输入控制信号的控制下，控制参考节点的电位。该补偿控制电路能够在第一时钟信号端提供的第一时钟信号的控制下，基于参考节点的电位调节第一节点的电位。如此，即提高了对第一节点进行控制的灵活性。进而，可以使得输出电路在第一节点的控制下，向耦接栅线的输出端灵活输出驱动信号。

公开(公告)号：CN117276282A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202210674860.8

申请日：2022-06-14

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 周天民 ,  刘凤娟 ,  胡合合 ,  刘威 ,  卢昱行 ,  王浩然 ,  黄杰 ,  王利忠 ,  宁策

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/10 ,  H01L29/786

Abstract: 本申请公开一种显示面板、制备方法及显示装置，涉及显示技术领域，能够提高氧化物半导体的电子迁移率，以使氧化物半导体的薄膜晶体管适用于高分辨率的小尺寸产品。一种显示面板，包括：氧化物半导体层；诱导层，设置于沟道区域对应的所述氧化物半导体层的表面，所述诱导层用于诱导所述氧化物半导体层与所述诱导层的接触界面结晶化。

公开(公告)号：CN117080225A

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN202311165397.5

申请日：2023-09-11

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方技术开发有限公司

Inventor： 刘凤娟 ,  张建业 ,  周丹丹 ,  卢昱行 ,  宁策

IPC: H01L27/12 ,  H10K59/12

Abstract: 本公开提供了一种阵列基板及其制备方法、显示装置，该阵列基板包括：衬底基板以及设置在衬底基板上的多个晶体管，晶体管包括：有源层、栅介质层、栅极、源极以及漏极，有源层包括：沟道区；离子扩散区，位于沟道区的两侧，且与沟道区相接；源漏接触区，位于离子扩散区的远离沟道区一侧，且与离子扩散区导通，源漏接触区与源极以及漏极对应导通。离子扩散区的至少部分区域在衬底基板上的正投影位于栅极在衬底基板上的正投影之外，源漏接触区与离子扩散区为导体区域，沟道区为半导体区域，离子扩散区的载流子浓度小于源漏接触区的载流子浓度，且大于沟道区的载流子浓度。

公开(公告)号：CN114122148A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202111429653.8

申请日：2021-11-29

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 卢昱行 ,  刘凤娟 ,  童彬彬

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12

Abstract: 本公开一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示面板和装置，其中，薄膜晶体管包括：基板；第一有源层，位于基板的一侧，且具有第一中间区域和第一边缘部分，第一中间部分位于第一边缘部分之间；第二有源层，至少位于第一中间部分的表面；第一保护层，至少覆盖第一有源层的第一边缘部分；源漏极，位于第二有源层远离基板的一侧，并与第二有源层连接；栅极层，位于第二有源层远离基板的一侧，或者位于基板靠近第一有源层的表面；其中，第一有源层和第二有源层的材料不同。该薄膜晶体管可以在第一有源层和第二有源层选择任意刻蚀选择比的材料制作时，均能够具有较好的均一性，且不会出现驼峰现象，以使得该薄膜晶体管具有良好的稳定性。

公开(公告)号：CN113299559A

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN202110702986.7

申请日：2021-06-24

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 刘凤娟 ,  王东方 ,  刘威 ,  卢昱行 ,  孙宏达 ,  宁策 ,  袁广才

IPC: H01L21/34 ,  H01L29/786

Abstract: 本公开提供一种薄膜晶体管的制备方法及薄膜晶体管，属于显示技术领域，其可解决现有的薄膜晶体管的制备过程中需要较多数量的掩膜板的问题。本公开的薄膜晶体管的制备方法，包括：通过一次构图工艺，在基底上形成有源层；在有源层背离基底一侧沉积并形成栅极绝缘层；通过一次构图工艺，形成贯穿栅极绝缘层的第一过孔和第二过孔；第一过孔和第二过孔分别位于有源层的两端；通过一次构图工艺，在栅极绝缘层上形成第一电极、栅极和第二电极；第一电极通过第一过孔与有源层连接，第二电极通过第二过孔与有源层连接；栅极在基底上的正投影与有源层在基底上的正投影至少部分重叠。

公开(公告)号：CN119096370A

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202380008573.6

申请日：2023-04-03

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 卢昱行 ,  刘凤娟 ,  胡合合 ,  李正亮 ,  宁策 ,  袁广才 ,  周丹丹 ,  许程

IPC: H01L29/786 ,  G09G3/32 ,  G09G3/3225 ,  H01L27/15

Abstract: 公开一种薄膜晶体管，包括第一有源层(111)、第二有源层(112)、第一电极(12)、第二电极(13)和第三电极(14)。第一有源层(111)设置于衬底(1)上，包括远离衬底(1)的第一表面(1111)。第二有源层(112)设置于第一有源层(111)远离衬底(1)的一侧，包括与第一表面(1111)接触的第二表面(1121)。在向衬底(1)的正投影中，第一电极(12)、第一有源层(111)和第二有源层(112)具有交叠区域。在向衬底(1)的正投影中，第二电极(13)、第一有源层(111)和第二有源层(112)具有交叠区域。在向衬底(1)的正投影中，第三电极(14)、第一有源层(111)和第二有源层(112)具有交叠区域，第三电极(14)与第二电极(13)相对设置。其中，第二表面(1121)位于第一表面(1111)的范围之内，第二表面(1121)的至少部分边界与第一表面(1111)的边界之间的间隔小于或等于0.5μm。还公开一种阵列基板、一种显示装置、一种阵列基板的制备方法。