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公开(公告)号：CN115629433A
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202211508022.X
申请日：2022-11-29
Applicant: 云南农业大学
Abstract: 本发明公开了一种双可调谐偏振无关三波段吸收体的等效电路模型。属于超材料器件技术领域，所述的吸收体由顶部狄拉克半金属BDS层和底部二氧化钒VO2层组成，中间介电层为二氧化硅SiO2。顶部混合体狄拉克半金属BDS层由四个矩形纳米棒和一个十字纳米棒组成，四个矩形纳米棒和十字纳米棒的长度分别为和。所有纳米棒的宽度为，矩形纳米棒和十字纳米棒之间的距离为。模型的周期为。所有棒的宽度为。本发明对吸收体作为折射率传感器的应用潜力进行了评估。该研究为多波段双控可调传感器、滤波器和吸收器的设计提供了理论依据。
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公开(公告)号：CN115548691B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202211474016.7
申请日：2022-11-23
Applicant: 云南农业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于狄拉克半金属和二氧化钒的三频段双调谐吸波体，属于超材料器件技术领域，所述的吸波体顶层为狄拉克半金属层，二氧化硅层为中间层，二氧化钒层为底层，且各层彼此紧密无缝贴合，形成一个结构体，狄拉克半金属BDS顶层由三根狄拉克半金属BDS纳米棒组成。本发明详细讨论了吸波体吸波特性随BDS层、VO2层和中间介质层厚度的变化规律。本发明为多带双调谐滤波器、吸波体的设计提供了理论依据。
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公开(公告)号：CN115548691A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211474016.7
申请日：2022-11-23
Applicant: 云南农业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于狄拉克半金属和二氧化钒的三频段双调谐吸波体，属于超材料器件技术领域，所述的吸波体顶层为狄拉克半金属层，二氧化硅层为中间层，二氧化钒层为底层，且各层彼此紧密无缝贴合，形成一个结构体，狄拉克半金属BDS顶层由三根狄拉克半金属BDS纳米棒组成。本发明详细讨论了吸波体吸波特性随BDS层、VO2层和中间介质层厚度的变化规律。本发明为多带双调谐滤波器、吸波体的设计提供了理论依据。
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