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公开(公告)号：CN116174735B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202211155998.3
申请日：2022-09-22
Abstract: 一种定点生长金属纳米粒子的制备方法，通过在Si片上自组装有序的PS小球阵列、反应粒子刻蚀调节PS间距、磁控溅射沉积SiO2/Ag/SiO2三明治结构、移除PS小球形成有序多孔模板结构、最后进行高温退火和保温，可实现Ag纳米粒子在多孔的口处、空腔内部及边沿的定点生长。该方法制备的Ag纳米粒子有望显著提高表面增强拉曼散射信号强度可以用于空气传感器，防伪等方面。该方法制备的Ag纳米粒子也适用于Au、Cu、Sn、In等纳米粒子的制备，与这些材料性质相近的基本都可以，具有普遍性。该方法得到的Ag纳米粒子制备简单、Ag纳米粒子小、可重复性强等特点，由于每个单元都具有特异性且相互影响较小在半导体芯片等邻域也具有广阔的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116174735A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211155998.3
申请日：2022-09-22
Abstract: 一种定点生长金属纳米粒子的制备方法，通过在Si片上自组装有序的PS小球阵列、反应粒子刻蚀调节PS间距、磁控溅射沉积SiO2/Ag/SiO2三明治结构、移除PS小球形成有序多孔模板结构、最后进行高温退火和保温，可实现Ag纳米粒子在多孔的口处、空腔内部及边沿的定点生长。该方法制备的Ag纳米粒子有望显著提高表面增强拉曼散射信号强度可以用于空气传感器，防伪等方面。该方法制备的Ag纳米粒子也适用于Au、Cu、Sn、In等纳米粒子的制备，与这些材料性质相近的基本都可以，具有普遍性。该方法得到的Ag纳米粒子制备简单、Ag纳米粒子小、可重复性强等特点，由于每个单元都具有特异性且相互影响较小在半导体芯片等邻域也具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN114262875A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202111614605.6
申请日：2021-12-27
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C23C14/35 , C23C14/58 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C23C14/00 , C23C14/04 , C23C14/08 , C23C14/10 , C23C14/20
Abstract: 本发明属于纳米复合材料合成技术领域，具体涉及一种快速制备Ag的二维和三维纳米结构的方法，通过在Si片上自组装有序的PS小球阵列、沉积[M/(XaOb)]n(n＝1‑10)多层膜结构、将PS小球去除后再用4‑MBA溶液中浸泡12h可以获得Ag纳米带的二维结构，将PS小球去除后进行高温退火获得前驱体再浸泡1mM 4‑MBA酒精溶液12h，可获得Ag纳米片/花三维结构。该方法制备的Ag纳米带/片/花有望显著提高表面增强拉曼散射信号强度、储能能力以及催化效率。该方法得到的Ag纳米带/片/花制备简单、可重复性强等特点，具有强的局域表面等离激元和大的比表面积等优异性能在材料等邻域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN113385680A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110547716.3
申请日：2021-05-19
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: B22F9/06 , B22F1/00 , B82Y40/00 , C23C14/08 , C23C14/10 , C23C14/20 , C23C14/22 , C23C14/35 , C23C14/58 , G01N21/65
Abstract: 本发明涉及纳米复合材料合成技术领域，针对金属纳米片构筑步骤繁琐、制备周期长的问题，提供一种金属纳米片的制备方法，先在硅衬底上自组装出密排的PS胶体球阵列，得到有序PS胶体球阵列模板；再在表面磁控溅射一层金属膜，形成金属纳米帽子阵列(MFON)；然后在表面继续溅射氧化物薄膜，重复溅射金属膜和氧化物薄膜0‑9次得到纳米柱[M/(XaOb)]n(n＝1‑10)多层膜结构；最后除去PS胶体球阵列进行退火处理，即得金属纳米片。本发明将PS胶体球模板和物理沉积技术相结合，步骤简单、金属消耗量少、重复性好，且制得的金属纳米片比表面积大。
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公开(公告)号：CN113385680B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202110547716.3
申请日：2021-05-19
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: B22F9/06 , B22F1/054 , B82Y40/00 , C23C14/08 , C23C14/10 , C23C14/20 , C23C14/22 , C23C14/35 , C23C14/58 , G01N21/65
Abstract: 本发明涉及纳米复合材料合成技术领域，针对金属纳米片构筑步骤繁琐、制备周期长的问题，提供一种金属纳米片的制备方法，先在硅衬底上自组装出密排的PS胶体球阵列，得到有序PS胶体球阵列模板；再在表面磁控溅射一层金属膜，形成金属纳米帽子阵列(MFON)；然后在表面继续溅射氧化物薄膜，重复溅射金属膜和氧化物薄膜0‑9次得到纳米柱[M/(XaOb)]n(n＝1‑10)多层膜结构；最后除去PS胶体球阵列进行退火处理，即得金属纳米片。本发明将PS胶体球模板和物理沉积技术相结合，步骤简单、金属消耗量少、重复性好，且制得的金属纳米片比表面积大。
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公开(公告)号：CN114262875B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202111614605.6
申请日：2021-12-27
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C23C14/35 , C23C14/58 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C23C14/00 , C23C14/04 , C23C14/08 , C23C14/10 , C23C14/20
Abstract: 本发明属于纳米复合材料合成技术领域，具体涉及一种快速制备Ag的二维和三维纳米结构的方法，通过在Si片上自组装有序的PS小球阵列、沉积[M/(XaOb)]n(n＝1‑10)多层膜结构、将PS小球去除后再用4‑MBA溶液中浸泡12h可以获得Ag纳米带的二维结构，将PS小球去除后进行高温退火获得前驱体再浸泡1mM 4‑MBA酒精溶液12h，可获得Ag纳米片/花三维结构。该方法制备的Ag纳米带/片/花有望显著提高表面增强拉曼散射信号强度、储能能力以及催化效率。该方法得到的Ag纳米带/片/花制备简单、可重复性强等特点，具有强的局域表面等离激元和大的比表面积等优异性能在材料等邻域具有广阔的应用前景。
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