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公开(公告)号：CN116502291B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310769745.3
申请日：2023-06-28
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了基于三维异质集成的数据安全存储设备及数据存储方法，包括：访存端口模块，通过外部系统总线与外部处理器通信，用于接收外部处理器的访存指令，使得数据安全存储设备作为外接设备以访存指令的方式被访问；向安全处理模块传输需识别的信息与加密前数据，并向外部处理器反馈加密识别码、状态信息与解密数据，同时在安全处理模块反馈错误信息后锁死外部访存端口；若干个安全处理模块，分别与访存端口模块连接，接收写激活指令、读/写数据指令与加密前数据，进行秘钥生成、识别与数据加密、解密，将加密后的数据传输至存储模块；存储模块，通过三维通路分别与每个安全处理模块连接，用于存储加密后数据。
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公开(公告)号：CN116502291A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310769745.3
申请日：2023-06-28
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了基于三维异质集成的数据安全存储设备及数据存储方法，包括：访存端口模块，通过外部系统总线与外部处理器通信，用于接收外部处理器的访存指令，使得数据安全存储设备作为外接设备以访存指令的方式被访问；向安全处理模块传输需识别的信息与加密前数据，并向外部处理器反馈加密识别码、状态信息与解密数据，同时在安全处理模块反馈错误信息后锁死外部访存端口；若干个安全处理模块，分别与访存端口模块连接，接收写激活指令、读/写数据指令与加密前数据，进行秘钥生成、识别与数据加密、解密，将加密后的数据传输至存储模块；存储模块，通过三维通路分别与每个安全处理模块连接，用于存储加密后数据。
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公开(公告)号：CN114758713B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210663908.5
申请日：2022-06-14
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明涉及半导体存储器测试技术领域，具体涉及一种铁电存储器耐久性测试的电路和方法，该电路包括依次连接的PMOS晶体管、NMOS晶体管、恒流源电路，所述PMOS晶体管的源极连接有电源；PMOS晶体管的漏极和NMOS晶体管的漏极相连接，在PMOS晶体管和NMOS晶体管的连接间节点设有监测电压点；NMOS晶体管的源极连接至恒流源电路的一端，恒流源电路的另一端接地；NMOS晶体管和恒流源电路的连接间节点与铁电存储器的位线连接；在PMOS晶体管和NMOS晶体管的栅极分别输入偏置电压Vbias1和偏置电压Vbias2。本发明加快了耐久性参数的获取，有效节约了测试时间成本，加速铁电产品的面市周期。
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公开(公告)号：CN114758713A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210663908.5
申请日：2022-06-14
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明涉及半导体存储器测试技术领域，具体涉及一种铁电存储器耐久性测试的电路和方法，该电路包括依次连接的PMOS晶体管、NMOS晶体管、恒流源电路，所述PMOS晶体管的源极连接有电源；PMOS晶体管的漏极和NMOS晶体管的漏极相连接，在PMOS晶体管和NMOS晶体管的连接间节点设有监测电压点；NMOS晶体管的源极连接至恒流源电路的一端，恒流源电路的另一端接地；NMOS晶体管和恒流源电路的连接间节点与铁电存储器的位线连接；在PMOS晶体管和NMOS晶体管的栅极分别输入偏置电压Vbias1和偏置电压Vbias2。本发明加快了耐久性参数的获取，有效节约了测试时间成本，加速铁电产品的面市周期。
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