一种集成化的分布式光纤传感系统及集成器件故障巡查方法

    公开(公告)号:CN117848394A

    公开(公告)日:2024-04-09

    申请号:CN202311495392.9

    申请日:2023-11-10

    Abstract: 一种集成化的分布式光纤传感系统,包括增益芯片,片上集成的收发模块、多通道的光纤阵列、掺铒光纤放大器、光学带通滤波器、光环形器、传感光纤;其中收发模块包括与增益芯片进行光耦合的端面耦合器、窄线宽激光器的耦合外腔结构、光功率分束器、电光调制器、光混频器、光电探测器、光开关,与光纤阵列进行光耦合的端面耦合器阵列;增益芯片与耦合外腔结构形成具有线宽压缩功能和波长调节功能的可调谐窄线宽激光器,为系统提供光源;电光调制器通过调制窄线宽光信号为系统提供高消光比的光脉冲探测信号;光混频器和光电探测器组成信号解调部分,通过对本振光和传感光信号的混频完成对外界信号的探测。还提供一种集成器件的故障巡查方法。

    一种基于耦合微环滤波器外腔的窄线宽半导体激光器

    公开(公告)号:CN115799982A

    公开(公告)日:2023-03-14

    申请号:CN202211613366.7

    申请日:2022-12-15

    Abstract: 一种基于耦合微环滤波器外腔的窄线宽半导体激光器,包括增益芯片、耦合微环滤波器一、耦合微环滤波器二、波导反射镜、导线金属和热阻金属。增益芯片和耦合微环滤波器一进行耦合。耦合微环滤波器一和耦合微环滤波器二分别包括若干个依次耦合的微环谐振腔,且均具有高消光比平顶带通滤波器的传输特性。当两者的自由光谱范围存在一定的差异,将它们依次串联可基于游标效应获得更大的自由光谱范围,同时在谐振峰附近的失谐位置具有超高的透过率滚降系数。进一步结合波导反射镜组成激光器,一方面可得到具有大范围波长调谐能力的单纵模激光,另一方面利用超高滚降系数增强串联微环的激光频率稳定效果,从而大幅压缩激光线宽。本发明具有尺寸小、易集成等优点。

    一种基于多段锥形波导结构的偏振旋转分束器

    公开(公告)号:CN115061239A

    公开(公告)日:2022-09-16

    申请号:CN202210729043.8

    申请日:2022-06-24

    Abstract: 本发明公开了一种基于多段锥形波导结构的偏振旋转分束器,包括:输入波导,所用于接收输入的光信号;多段锥形模式转换波导,包括依次连接的若干单段锥形模式转换波导,用于通过所述单段锥形模式转换波导使得输入波导传输的光信号中的TM0模式光信号转换为TE1模式光信号;多段锥形双波导耦合器,包括依次连接的若干单段耦合双波导,用于通过所述单段耦合双波导使得TE1模式光信号耦合为TE0模式光信号;直通输出波导,与输入波导联通,用于输出输入波导接收的光信号中未发生模式转换的TE0模式光信号;耦合输出波导,与输入波导不联通,用于输出通过多段锥形模式转换波导和多段锥形双波导耦合器进行模式转换后得到的TE0模式光信号。

    混合集成的窄线宽激光器
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117096722A

    公开(公告)日:2023-11-21

    申请号:CN202311160609.0

    申请日:2023-09-08

    Abstract: 本申请提供一种混合集成的窄线宽激光器,包括增益芯片和薄膜铌酸锂芯片。增益芯片包括高反射端面、抗反射端面及位于高反射端面和抗反射端面之间的增益波导。薄膜铌酸锂芯片包括模斑转换器、选频滤波器、反射镜、电光调制器及与电光调制器级联的偏振控制器。高反射端面和反射镜组成激光器的两个腔镜。增益芯片用于在电泵浦下产生放大自发辐射谱,在激光器腔内振荡,产生一系列纵模;模斑转换器用于将增益芯片的模斑转换为铌酸锂单模波导的模斑;选频滤波器用于选出特定的纵模以实现单频的窄线宽激光输出;电光调制器用于对从腔镜输出的连续光进行脉冲调制以输出脉冲光;偏振控制器用于对电光调制器输出的脉冲光的偏振进行调控。

    一种基于耦合环形谐振腔的超高消光比集成电光调制器

    公开(公告)号:CN113791502B

    公开(公告)日:2022-03-22

    申请号:CN202111352077.1

    申请日:2021-11-16

    Inventor: 陈必更 饶云江

    Abstract: 本发明公开了一种基于耦合环形谐振腔的超高消光比集成电光调制器,其中包括入射波导、直通出射波导、分路出射波导、由若干环形谐振腔依次耦合构成的环形谐振腔阵列、集成在每个环形谐振腔中的相移器波导以及相应的电极。入射波导与直通出射波导组成集总波导,与环形谐振腔阵列的一端耦合,出射波导与环形谐振腔阵列的另一端耦合。通过合理设置环形谐振腔之间以及与集总波导、出射波导的光强耦合系数,使环形谐振腔阵列获得具有超高抑制比的光学滤波特性。将电信号加载到电极上同时驱动各个相移器波导以改变其相位,可对波长位于通带或阻带的单频输入激光产生强烈的光调制作用,实现超高消光比的电光调制器,具有小尺寸、低功耗、高性能等优点。

    一种基于耦合环形谐振腔的超高消光比集成电光调制器

    公开(公告)号:CN113791502A

    公开(公告)日:2021-12-14

    申请号:CN202111352077.1

    申请日:2021-11-16

    Inventor: 陈必更 饶云江

    Abstract: 本发明公开了一种基于耦合环形谐振腔的超高消光比集成电光调制器,其中包括入射波导、直通出射波导、分路出射波导、由若干环形谐振腔依次耦合构成的环形谐振腔阵列、集成在每个环形谐振腔中的相移器波导以及相应的电极。入射波导与直通出射波导组成集总波导,与环形谐振腔阵列的一端耦合,出射波导与环形谐振腔阵列的另一端耦合。通过合理设置环形谐振腔之间以及与集总波导、出射波导的光强耦合系数,使环形谐振腔阵列获得具有超高抑制比的光学滤波特性。将电信号加载到电极上同时驱动各个相移器波导以改变其相位,可对波长位于通带或阻带的单频输入激光产生强烈的光调制作用,实现超高消光比的电光调制器,具有小尺寸、低功耗、高性能等优点。

    一种宽带的薄膜铌酸锂偏振无关电光调制器和调制方法

    公开(公告)号:CN118151418B

    公开(公告)日:2024-07-23

    申请号:CN202410568387.4

    申请日:2024-05-09

    Abstract: 一种宽带的薄膜铌酸锂偏振无关电光调制器和调制方法,其调制器工作波长覆盖O波段~L波段,由第一偏振无关分束器、电光移相器阵列、第二偏振无关分束器组成,其中偏振无关分束器包括输入波导、模式转化器、TE1分束器、锥形波导、TE0分束器和输送波导,皆具有宽带特性;电光移相器阵列包括4根直波导和1组GSGSG行波电极;当输入TM0时,其在第一偏振无关分束器的模式转化器中转为TE1,并经TE1分束器分为2束TE0,经外侧两个电光移相器调制后,经第二偏振无关分束器干涉并转化为TM0输出;当输入TE0时,模式保持不变,经内侧两个电光移相器调制后干涉输出。

    一种反射型锗硅雪崩光电探测器
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117334761A

    公开(公告)日:2024-01-02

    申请号:CN202311585374.X

    申请日:2023-11-27

    Abstract: 本发明公开了一种反射型锗硅雪崩光电探测器,包括入射光波导、有源区和反射器;其中,所述入射光波导为脊形硅波导,所述有源区的硅波导由依次排列的P型重掺杂区、P型掺杂区、本征区、N型掺杂区和N型重掺杂区组成;所述有源区还包含金属电极和锗吸收层;金属电极分别与P型重掺杂区和N型重掺杂区接触形成P电极和N电极,所述锗吸收层为本征锗,位于硅波导中间脊形区的上方,并下沉进入脊形区内部以获取更高的吸收效率;所述反射器包括锥形波导、多模干涉器和环形波导,可以将未完全吸收的入射光反射回有源区。本发明的锗硅雪崩光电探测器具有响应度高,暗电流小,工艺简单,利于大规模集成等优点。

    一种基于多段锥形波导结构的偏振旋转分束器

    公开(公告)号:CN115061239B

    公开(公告)日:2023-11-03

    申请号:CN202210729043.8

    申请日:2022-06-24

    Abstract: 本发明公开了一种基于多段锥形波导结构的偏振旋转分束器,包括:输入波导,所用于接收输入的光信号;多段锥形模式转换波导,包括依次连接的若干单段锥形模式转换波导,用于通过所述单段锥形模式转换波导使得输入波导传输的光信号中的TM0模式光信号转换为TE1模式光信号;多段锥形双波导耦合器,包括依次连接的若干单段耦合双波导,用于通过所述单段耦合双波导使得TE1模式光信号耦合为TE0模式光信号;直通输出波导,与输入波导联通,用于输出输入波导接收的光信号中未发生模式转换的TE0模式光信号;耦合输出波导,与输入波导不联通,用于输出通过多段锥形模式转换波导和多段锥形双波导耦合器进行模式转换后得到的TE0模式光信号。

    覆盖可见光波段的薄膜铌酸锂端面耦合器及其制备方法

    公开(公告)号:CN115877506B

    公开(公告)日:2023-06-27

    申请号:CN202310079742.7

    申请日:2023-02-08

    Abstract: 本发明公开一种覆盖可见光波段的薄膜铌酸锂端面耦合器及其制备方法,包括:衬底层;设置在衬底层上的绝缘层;设置在绝缘层上且依次连接的第一倒锥波导、第二倒锥波导、第三倒锥波导、第四倒锥波导和器件波导;其中,第一倒锥波导的厚度为20‑60nm;以及设置在绝缘层上并覆盖第一倒锥波导、第二倒锥波导、第三倒锥波导、第四倒锥波导和器件波导的覆盖层。本发明通过设置较薄的第一倒锥波导,突破横向线宽的限制,解决可见光强束缚难题,放大模场直径,实现与单模光纤的模场匹配;通过设置四级倒锥波导结构,并采用剪刀状倒锥结构,解决不同层级之间的因强束缚导致的模式失配问题,实现耦合器对可见光的高效耦合且工作带宽覆盖完整的可见光波段。

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