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公开(公告)号：CN116312723A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310393453.4
申请日：2023-04-13
IPC: G11C29/42
Abstract: 本申请实施例提供一种采用纠错码的闪存编程方法，属于存储器技术领域。方法包括：采用纠错码，能够以较小的写操作时间为基准（而非传统写操作以最慢存储单元用时为基准）进行写入操作，允许在写操作时在容错范围内出现少量写失误，随后通过编码电路和译码电路得到校验位，以此检测闪存阵列中的存储单元值并进行纠正。本申请能极大提高闪存写操作速度，从而实现闪存阵列低写操作能耗和较高的存储数据可靠性。
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公开(公告)号：CN116312695A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310394330.2
申请日：2023-04-13
Abstract: 本申请实施例提供一种应用于人工智能训练加速的或非型闪存阵列结构，属于低功耗计算领域。方法包括：正向读取为传统方案，即固定SL为高压，通过BL所加电压来选中存储单元，对应于正向传播计算过程；反向读改变存储单元两端所加电压，固定BL为高压，通过SL所加电压来选中存储单元，对应于反向传播计算过程。在完全不改变和增加阵列单元结构的前提下，不会带来额外的驱动电路。本申请可以降低或非型闪存双向读操作的电路代价。
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公开(公告)号：CN112837720A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202110087357.8
申请日：2021-01-22
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种高密度三态内容寻址存储器及其寻址方法，所述存储器包括：搜索线、匹配线、互补搜索线和多个存储单元，所述存储单元包括第一存储电阻和第二存储电阻，所述第一存储电阻的第一端与所述搜索线相连，所述第一存储电阻的第二端与所述匹配线相连，所述第二存储电阻的第一端与所述互补搜索线相连，所述第二存储电阻的第二端与所述匹配线相连。本发明提供的高密度三态内容寻址存储器及其寻址方法，具有存储密度大和可靠性强特点。
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