非光敏型二极管及其制造方法、图像传感器

    公开(公告)号:CN116884852A

    公开(公告)日:2023-10-13

    申请号:CN202311131162.4

    申请日:2023-09-04

    Abstract: 本公开涉及非光敏型二极管及其制造方法、图像传感器。该用于制造非光敏型二极管的方法包括:形成堆叠于导电衬底的电子传输层,其中,导电衬底包括衬底和导电膜,衬底、导电膜及电子传输层依次堆叠;形成堆叠于电子传输层的碘化铅层,形成碘化铅层的步骤包括:通过匀胶工艺在电子传输层涂覆碘化铅前驱体溶液,碘化铅前驱体溶液的溶质浓度在0.5mol/L至1mol/L的范围,碘化铅前驱体溶液的溶质为纯度大于或等于99%的碘化铅;以及形成依次堆叠于碘化铅层的空穴传输层及电极层。该方法可用于制造具有高整流性能,并保证了对光照的不敏感性能的二极管。

    非光敏型二极管及其制造方法、图像传感器

    公开(公告)号:CN116884852B

    公开(公告)日:2024-01-09

    申请号:CN202311131162.4

    申请日:2023-09-04

    Abstract: 本公开涉及非光敏型二极管及其制造方法、图像传感器。该用于制造非光敏型二极管的方法包括:形成堆叠于导电衬底的电子传输层,其中,导电衬底包括衬底和导电膜,衬底、导电膜及电子传输层依次堆叠;形成堆叠于电子传输层的碘化铅层,形成碘化铅层的步骤包括:通过匀胶工艺在电子传输层涂覆碘化铅前驱体溶液,碘化铅前驱体溶液的溶质浓度在0.5mol/L至1mol/L的范围,碘化铅前驱体溶液的溶质为纯度大于或等于99%的碘化铅;以及形成依次堆叠于碘化铅层的空穴传输层及电极层。该方法可用于制造具有高整流性能,并保证了对光照的不敏感性能的二极管。

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