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公开(公告)号:CN110189981A
公开(公告)日:2019-08-30
申请号:CN201910114298.1
申请日:2019-02-14
Applicant: 丰田自动车株式会社 , 国立大学法人京都工艺纤维大学
Abstract: 公开一种成膜方法和制造半导体器件的方法。一种在基体上形成掺杂氟的氧化镓膜的成膜方法,包括:在加热所述基体的同时,将溶解有镓化合物和氟化合物的溶液的雾供给到所述基体的表面。在该成膜方法中,掺杂氟的氧化镓膜在所述基体的表面上生成。在该成膜方法中,掺杂氟的氧化镓膜能够在所述基体的表面上适当地形成。