公开(公告)号：CN104685641B

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201380051189.0

申请日：2013-09-24

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  国立大学法人东京大学

Inventor： 增田泰造 ,  奥村健一 ,  近藤高志 ,  松下智纪

IPC: H01L31/06

CPC classification number: H01L31/0735 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/0693 ,  H01L31/184 ,  H01L31/1844 ,  H01L31/1852 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明的主要目的在于提供一种光伏装置及其制造方法，能够降低有害性且提高效率、且使用了化合物半导体。本发明的光伏装置具有：含有化合物半导体的光电变换层、层叠在该光电变换层的表面的半导体层、配置在该半导体层的与光电变换层相反侧的接触层、层叠在该接触层的表面的电极，半导体层含有包含Al、In、P的第一晶体，接触层含有以Ge为主要成分的第二晶体，该光伏装置制造方法包括：在基板上气相生长含有化合物半导体的光电变换层的工序；在形成的光电变换层的表面气相生长具有含有Al、In、P的第一晶体的半导体层的工序；在形成的半导体层的上表面侧气相生长具有以Ge为主要成分的第二晶体的接触层的工序；在形成的接触层的表面形成电极的工序。

公开(公告)号：CN104685641A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201380051189.0

申请日：2013-09-24

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  国立大学法人东京大学

Inventor： 增田泰造 ,  奥村健一 ,  近藤高志 ,  松下智纪

IPC: H01L31/06

CPC classification number: H01L31/0735 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/0693 ,  H01L31/184 ,  H01L31/1844 ,  H01L31/1852 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明的主要目的在于提供一种光伏装置及其制造方法，能够降低有害性且提高效率、且使用了化合物半导体。本发明的光伏装置具有：含有化合物半导体的光电变换层、层叠在该光电变换层的表面的半导体层、配置在该半导体层的与光电变换层相反侧的接触层、层叠在该接触层的表面的电极，半导体层含有包含Al、In、P的第一晶体，接触层含有以Ge为主要成分的第二晶体，该光伏装置制造方法包括：在基板上气相生长含有化合物半导体的光电变换层的工序；在形成的光电变换层的表面气相生长具有含有Al、In、P的第一晶体的半导体层的工序；在形成的半导体层的上表面侧气相生长具有以Ge为主要成分的第二晶体的接触层的工序；在形成的接触层的表面形成电极的工序。