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公开(公告)号：CN101859595A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200910133384.3
申请日：2009-04-07
Applicant: 丰田自动车株式会社 , 上海华虹NEC电子有限公司
IPC: G11C14/00
Abstract: 本发明涉及锁存装置及锁存方法，该锁存装置包括：与电源布线连接的整流元件；与所述整流元件的正向侧连接的电容器；第一锁存电路，其在所述电容器的电容器电压下工作、并根据第一锁存信号锁存输入数据；输出第三锁存信号的滤波电路，其使比所述第一锁存信号延迟的第二锁存信号通过低通滤波器来产生该第三锁存信号；无效化电路，其通过检测所述电源布线的电源电压的下降来使所述第二锁存信号无效；以及第二锁存电路，其在所述电容器电压下工作，并根据所述第三锁存信号锁存所述第一锁存电路的输出数据。
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公开(公告)号：CN101859595B
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN200910133384.3
申请日：2009-04-07
Applicant: 丰田自动车株式会社 , 上海华虹NEC电子有限公司
IPC: G11C14/00
Abstract: 本发明涉及锁存装置及锁存方法，该锁存装置包括：与电源布线连接的整流元件；与所述整流元件的正向侧连接的电容器；第一锁存电路，其在所述电容器的电容器电压下工作、并根据第一锁存信号锁存输入数据；输出第三锁存信号的滤波电路，其使比所述第一锁存信号延迟的第二锁存信号通过低通滤波器来产生该第三锁存信号；无效化电路，其通过检测所述电源布线的电源电压的下降来使所述第二锁存信号无效；以及第二锁存电路，其在所述电容器电压下工作，并根据所述第三锁存信号锁存所述第一锁存电路的输出数据。
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公开(公告)号：CN102109360B
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN200910202041.8
申请日：2009-12-24
Applicant: 上海华虹NEC电子有限公司
IPC: G01D5/14
Abstract: 本发明公开了一种线性霍尔传感器的信号处理电路，包含过采样的环路与斩波调制器。过采样环路由CPA、包含滤波电容与积分放大器的一阶环路滤波器及4位数字转换器与反馈电路组成。两个斩波调制器分别嵌套在CPA的前后。CPA是一个运算跨导放大器，把输出的电压信号线性地转化为电流，并且在全条件下保持固定增益。滤波电容与ITA连接过采样环路的有源一阶滤波器。4位的模数转换器把滤波出来信号转换为4位的数字信号，由4位DAC与霍尔盘组成的反馈把输出码转换成反馈电压，这个反馈电压将从输入信号中被减去。因为输入的信号非常微弱，CPA前后的斩波调制器把CPA失调电压与闪烁噪声调制到高频带，并被滤波器滤除。CPA中的恒定Gm在全条件下保持环路更加稳定。
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公开(公告)号：CN102109360A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200910202041.8
申请日：2009-12-24
Applicant: 上海华虹NEC电子有限公司
IPC: G01D5/14
Abstract: 本发明公开了一种线性霍尔传感器的信号处理电路，包含过采样的环路与斩波调制器。过采样环路由CPA、包含滤波电容与积分放大器的一阶环路滤波器及4位数字转换器与反馈电路组成。两个斩波调制器分别嵌套在CPA的前后。CPA是一个运算跨导放大器，把输出的电压信号线性地转化为电流，并且在全条件下保持固定增益。滤波电容与ITA连接过采样环路的有源一阶滤波器。4位的模数转换器把滤波出来信号转换为4位的数字信号，由4位DAC与霍尔盘组成的反馈把输出码转换成反馈电压，这个反馈电压将从输入信号中被减去。因为输入的信号非常微弱，CPA前后的斩波调制器把CPA失调电压与闪烁噪声调制到高频带，并被滤波器滤除。CPA中的恒定Gm在全条件下保持环路更加稳定。
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公开(公告)号：CN101464698B
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200710094575.4
申请日：2007-12-19
Applicant: 上海华虹NEC电子有限公司
IPC: G05F1/10
Abstract: 本发明公开了一种电源电路，包括电压嵌位电路，所述电压嵌位电路连接到一个带隙基准电路，所述带隙基准电路参考电压和参考电流连接到一个电压校准电路，所述电压校准电路的校准电压连接到所述带隙基准电路。本发明还公开了一种电源供给方法，先由电压嵌位电路为带隙基准电路提供一个粗略的电源电压，带隙基准电路输出参考电压和参考电流，之后电压校准电路向带隙基准电路输出校准电压并关闭电压嵌位电路，此后带隙基准电路由电压校准电压作为电源电压驱动。本发明通过采用电压嵌位电路对带隙基准电路提供粗略电压的方式，大大简化了电路的结构，降低电源电路的成本，并且实现电源的稳定输出，还具有较快的响应速度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102981548A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201110261941.7
申请日：2011-09-06
Applicant: 上海华虹NEC电子有限公司
IPC: G05F1/613
Abstract: 本发明公开了一种应用于半导体集成电路领域，带电流补偿的高压稳压电路，包括：一外部电源VDD连接NMOS管M4漏极，通过电阻R1连接PMOS管M1源极，通过电阻R2连接NMOS管M6漏极；PMOS管M1栅极连接其漏极，其漏极连接NMOS管M2漏极，其衬底与其源极连接；NMOS管M2栅极连接其漏极，其源极连接NMOS管M3漏极；NMOS管M3栅极连接其漏极，其源极连接晶体管D1发射极；NMOS管M4其栅极连接NMOS管M1源极，其源极连接内部电源；NMOS管M5漏极连接NMOS管源极，其栅极连接NMOS管M6栅极，其源极连接晶体管D2发射极；NMOS管M6栅极与其漏极连接，其源极连接晶体管D3发射极；晶体管D1、D2、D3其各的自基极连接其各自的集电极后连接地。本发明的高压稳压电路能降低稳压电路功耗，提高稳压电路驱动能力。
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公开(公告)号：CN101751061B
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN200810044121.0
申请日：2008-12-17
Applicant: 上海华虹NEC电子有限公司
IPC: G05F3/24
Abstract: 本发明公开了一种高压电压稳定器，包括一限流电阻、一钳位电路，限流电阻、钳位电路串接在外部电源同地之间，还包括一高压本征NMOS管，源极接内部电路，漏极接外部电端，栅极接限流电阻和钳位电路，所述高压本征NMOS管，栅极氧化层靠近源极N+的部分是薄栅氧化层，栅极氧化层靠近漏极N+的部分是厚栅氧化层，在漏极N+及所述厚栅氧化层下生成有高压N阱，所述高压N阱完全包络所述厚栅氧化层及漏极N+，所述高压N阱区的掺杂浓度比P衬底区小，所述栅极多晶硅要部分覆盖所述厚栅氧化层。本发明的高压电压稳定器，结构简单，驱动能力大且功耗低。
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公开(公告)号：CN102109585A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200910202039.0
申请日：2009-12-24
Applicant: 上海华虹NEC电子有限公司
Abstract: 本发明公开了一种四端输出的霍尔盘，包括霍尔盘，所述霍尔盘为八边形，接触孔设置于八边形的四个互不相邻的边上，接触孔的延伸方向与所在边的方向一致。本发明四端输出的霍尔盘采用八边形霍尔盘，大大减少了边角的不利因素，减少了失调电阻，克服了正方形霍尔盘的边角对失调的主要影响，同时又克服了十字交叉形霍尔盘有效感应面积小的缺点。本发明还公开了一种采用四端输出的霍尔盘产品，通过彼此并联的四个八边形霍尔盘来抵消工艺上的偏差；且由于保护环与霍尔盘的层次相同，能够保证四个霍尔盘的每一个边的环境都相同，从而有效降低失调。
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公开(公告)号：CN101751061A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200810044121.0
申请日：2008-12-17
Applicant: 上海华虹NEC电子有限公司
IPC: G05F3/24 , H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种高压电压稳定器，包括一限流电阻、一钳位电路，限流电阻、钳位电路串接在外部电源同地之间，还包括一高压本征NMOS管，源极接内部电路，漏极接外部电端，栅极接限流电阻和钳位电路。本发明还公开了一种高压本征NMOS管，栅极氧化层靠近源极N+的部分是薄栅氧化层，栅极氧化层靠近漏极N+的部分是厚栅氧化层，在漏极N+及所述厚栅氧化层下生成有高压N阱，所述高压N阱完全包络所述厚栅氧化层及漏极N+，所述高压N阱区的掺杂浓度比P衬底区小，所述栅极多晶硅要部分覆盖所述厚栅氧化层。本发明的高压电压稳定器，结构简单，驱动能力大且功耗低。
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公开(公告)号：CN101459420A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200710094511.4
申请日：2007-12-14
Applicant: 上海华虹NEC电子有限公司
IPC: H03K17/24
Abstract: 本发明公开了一种防掉电数据暂存电路，包括电源电路，为所述控制电路和存储电路供电；控制电路，输出WR2E信号；存储电路，包含一个或多个存储单元，每个所述存储单元中第一D触发器的同相输出端连接到第二D触发器的D输入端，WR2E信号由第二D触发器的时钟端输入，第二D触发器的同相输出端作为防掉电数据暂存电路的输出端。本发明还公开了一种防掉电数据暂存方法，当发生掉电时，由电源电路对所述控制电路和存储电路供电，所述控制电路控制所述存储电路将外接电路的数据锁存。本发明通过电源电路对控制电路和存储电路供电，由存储电路对数据进行锁存，抑制了电源尖峰对于芯片输出的影响，大大缩短了芯片输出的恢复时间，并且确保了输出的准确性。
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