半导体驱动装置
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104704744B

    公开(公告)日:2016-08-24

    申请号:CN201380049265.4

    申请日:2013-09-20

    Abstract: 本发明提供一种半导体驱动装置,具备:第一控制单元,其在流通于开关元件的第一主电极与第二主电极之间的过电流被检测出时,使所述开关元件的栅极与预定的基准电位之间导通以使被施加于所述栅极与所述第一主电极之间的控制电压降低,从而使所述开关元件断开;检测单元,其对随着所述栅极与所述第二主电极之间的反馈电容的充电或放电而产生的电流进行检测;及第二控制单元,其在所述过电流以及随着所述反馈电容的充电或放电而产生的电流被检测出时,降低所述栅极与所述基准电位之间的电阻值。

    半导体装置以及电力变换装置

    公开(公告)号:CN105305780A

    公开(公告)日:2016-02-03

    申请号:CN201510402486.6

    申请日:2015-07-10

    Inventor: 长内洋介

    CPC classification number: G01R31/42 G01R31/3277

    Abstract: 本发明提供一种即使不另行设置故障检测专用的二极管元件也能够进行劣化检测的半导体装置以及电力变换装置。半导体装置具备开关元件,其具有主元件和感测元件;主二极管,其具有与上述主元件的一个主电极连接的阴极、和与上述主元件的另一个主电极连接的阳极;感测二极管,其具有与上述感测元件的一个主电极连接的阴极、和与上述感测元件的另一个主电极连接的阳极;以及劣化检测电路,其在上述开关元件的断开期间对感测节点施加电压,并基于在上述感测二极管中流动的正向电流来检测上述开关元件或者上述主二极管的劣化,上述感测节点与上述感测元件的另一个主电极和上述感测二极管的阳极连接,上述感测二极管被用于检测在上述主二极管中流动的电流。

    半导体装置及其控制方法

    公开(公告)号:CN104917501B

    公开(公告)日:2018-02-09

    申请号:CN201510104625.7

    申请日:2015-03-10

    Abstract: 本发明提供了一种半导体装置及其控制方法。所述半导体装置包括晶体管(121)、二极管(122)、第一检测电路(152)、第二检测电路(153)、计算电路(154)以及判定电路(155)。二极管与晶体管反向并联连接。第一检测电路被配置为检测晶体管的栅电压关于时间的变化率。第二检测电路被配置为检测晶体管的栅电流。计算电路被配置为基于栅电压关于时间的变化率和栅电流来计算栅电容。判定电路被配置为基于在注入电荷至晶体管的栅极时的栅电容的判定结果,来判定电流是流向二极管还是流向晶体管。

    半导体装置以及电力变换装置

    公开(公告)号:CN105305780B

    公开(公告)日:2018-01-12

    申请号:CN201510402486.6

    申请日:2015-07-10

    Inventor: 长内洋介

    CPC classification number: G01R31/42 G01R31/3277

    Abstract: 本发明提供一种即使不另行设置故障检测专用的二极管元件也能够进行劣化检测的半导体装置以及电力变换装置。半导体装置具备开关元件,其具有主元件和感测元件;主二极管,其具有与上述主元件的一个主电极连接的阴极、和与上述主元件的另一个主电极连接的阳极;感测二极管,其具有与上述感测元件的一个主电极连接的阴极、和与上述感测元件的另一个主电极连接的阳极;以及劣化检测电路,其在上述开关元件的断开期间对感测节点施加电压,并基于在上述感测二极管中流动的正向电流来检测上述开关元件或者上述主二极管的劣化,上述感测节点与上述感测元件的另一个主电极和上述感测二极管的阳极连接,上述感测二极管被用于检测在上述主二极管中流动的电流。

    电力转换装置
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106941318B

    公开(公告)日:2018-09-21

    申请号:CN201610913139.4

    申请日:2016-10-19

    Abstract: 本发明提供一种电力转换装置。电力转换装置具备多个DC-DC变换器。各个DC-DC变换器具备至少一个栅极电阻、和栅极驱动器。栅极驱动器经由栅极电阻而将开关元件的栅电极向导通电位点和断开电位点中的一方选择性地进行连接。第二DC-DC变换器的栅极电阻与第一DC-DC变换器的栅极电阻相比而具有高电阻值。

    半导体装置
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105281721B

    公开(公告)日:2018-05-29

    申请号:CN201510405354.9

    申请日:2015-07-10

    Inventor: 长内洋介

    CPC classification number: H03K17/567 H03K17/042

    Abstract: 一种半导体装置,包括:开关元件,其配置为包括栅极电极、第一主电极、第二主电极、根据在第一主电极中流动的主电流来输出小于主电流的感测电流的感测电极,并且开关元件配置为当施加于栅极电极和第一主电极之间的控制电压降低时关断;感测二极管,其配置为包括与感测电极连接的阳极以及与第二主电极连接的阴极;以及连接电路,其配置为当开关元件关断时将栅极电极与感测电极相连接。

    半导体装置
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105186837A

    公开(公告)日:2015-12-23

    申请号:CN201510289888.X

    申请日:2015-05-29

    Inventor: 长内洋介

    CPC classification number: G01K7/01

    Abstract: 本公开提供一种半导体装置,其包括:开关元件;第一回流二极管,其与该开关元件反并联连接;电流路径,其与该第一回流二极管并联连接;第二回流二极管,其串联地插入到该电流路径中;以及温度检测部,其被配置为基于该第一回流二极管的正向电压与该第二回流二极管的正向电压之间的差分电压来检测温度。该第一回流二极管的电流密度与该第二回流二极管的电流密度互不相同。

    半导体装置及其控制方法

    公开(公告)号:CN104917501A

    公开(公告)日:2015-09-16

    申请号:CN201510104625.7

    申请日:2015-03-10

    Abstract: 本发明提供了一种半导体装置及其控制方法。所述半导体装置包括晶体管(121)、二极管(122)、第一检测电路(152)、第二检测电路(153)、计算电路(154)以及判定电路(155)。二极管与晶体管反向并联连接。第一检测电路被配置为检测晶体管的栅电压关于时间的变化率。第二检测电路被配置为检测晶体管的栅电流。计算电路被配置为基于栅电压关于时间的变化率和栅电流来计算栅电容。判定电路被配置为基于在注入电荷至晶体管的栅极时的栅电容的判定结果,来判定电流是流向二极管还是流向晶体管。

    驱动电路及半导体装置
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105281723B

    公开(公告)日:2018-04-10

    申请号:CN201510296214.2

    申请日:2015-06-02

    Inventor: 长内洋介

    CPC classification number: H03K3/015 H03K17/60

    Abstract: 本发明提供一种驱动电路,其包括栅极驱动节点;电源节点;输出晶体管,其配置为连接在所述栅极驱动节点和所述电源节点之间,并且所述输出晶体管使电流流入所述栅极驱动节点;输入晶体管,其配置为与所述输出晶体管形成电流镜,并且所述输入晶体管具有比所述输出晶体管更小的尺寸;运算放大器,其配置为基于根据所述栅极驱动节点的电压而接收的作为输入的电压和比所述电源节点的电压低的恒定电压之间的电位差来输出控制电压;恒流源,其配置为产生恒定电流;控制晶体管,其配置为根据所述控制电压,将流入所述输入晶体管的电流控制为小于或等于所述恒定电流。

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