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发明公开
半导体装置有权转让

公开(公告)号：CN110223980A

公开(公告)日：2019-09-10

申请号：CN201910146551.1

申请日：2019-02-27

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 岩岛弥生 , 平林康弘

IPC: H01L27/06 , H01L29/06 , H01L29/739

Abstract: 一种半导体装置具有包括元件范围和周边范围的半导体衬底。半导体衬底包括：体区，其布置在元件范围内；p型深区，其从元件范围跨周边范围布置，从半导体衬底的上表面分布到比每个栅极沟槽的下端深的位置，并且包含端栅极沟槽；以及p型耐压区，其布置在周边范围内，并且从上表面分布到比p型深区的下端浅的位置。p型深区内的p型杂质浓度在从体区朝向p型耐压区的方向上增加。

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