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公开(公告)号：CN107723668A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710666073.8
申请日：2017-08-07
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: C23C14/32
CPC classification number: C23C14/325 , C23C16/45523 , C23C16/515 , C30B23/066 , C30B25/105 , H01J37/32055 , H01J37/32403 , H01J37/32568 , H01J37/32614
Abstract: 本发明提供成膜装置。该成膜装置具有蒸发源、电极及气体通路。蒸发源是具有收容工件的内部空间的金属的筒状。电极配置于蒸发源的内部空间。气体通路从蒸发源的外部空间向蒸发源的内部空间供给气体。气体通路具有位于内部空间的端部。气体通路的端部具有由第一材料构成的第一部位和由第二材料构成的第二部位。第一材料及第二材料具有彼此不同的热膨胀系数。
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公开(公告)号：CN105316628A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510394188.7
申请日：2015-07-07
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: C23C14/32
CPC classification number: H01J37/32559 , C23C14/325 , H01J37/32055 , H01J37/34
Abstract: 本发明提供了一种成膜装置，其包括筒状蒸发源(1)、封闭构件(2A，2B)和辅助电极(3)。筒状蒸发源(1)配置为将工件(W)容纳在蒸发源(1)的内部空间中。筒状蒸发源(1)配置为通过电弧放电从筒状蒸发源(1)释放离子以便所述离子沉积在工件(W)的表面上。封闭构件(2A，2B)封闭所述内部空间。辅助电极(3)沿着筒状蒸发源(1)的内壁表面设置。辅助电极(3)配置为接地或是被施加以正电压以便所述内部空间的电子流向辅助电极(3)。
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公开(公告)号：CN107723668B
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201710666073.8
申请日：2017-08-07
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: C23C14/32
CPC classification number: C23C14/325 , C23C16/45523 , C23C16/515 , C30B23/066 , C30B25/105 , H01J37/32055 , H01J37/32403 , H01J37/32568 , H01J37/32614
Abstract: 本发明提供成膜装置。该成膜装置具有蒸发源、电极及气体通路。蒸发源是具有收容工件的内部空间的金属的筒状。电极配置于蒸发源的内部空间。气体通路从蒸发源的外部空间向蒸发源的内部空间供给气体。气体通路具有位于内部空间的端部。气体通路的端部具有由第一材料构成的第一部位和由第二材料构成的第二部位。第一材料及第二材料具有彼此不同的热膨胀系数。
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公开(公告)号：CN107142461B
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201710111543.4
申请日：2017-02-28
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: C23C16/26 , C23C16/513 , C23C16/52
CPC classification number: C23C16/26 , C23C16/511 , C23C16/52 , H05H1/46 , H05H2001/4622
Abstract: 本发明提供一种成膜方法及等离子体化学气相沉积装置。PCVD装置具备以位于反应炉内的部位支承工件并使从高频输出装置输出的微波向工件传播的导波构件。将使通过导波构件向工件传播的微波的强度从“0”开始逐渐加大的过程中该工件的偏置电流跳跃时的从高频输出装置输出的微波的强度设为第一强度，将使微波的强度从第一强度加大的过程中偏置电流再次跳跃时的微波的强度设为第二强度。在成膜时，从高频输出装置输出比第一强度大且比第二强度小的强度的微波。
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公开(公告)号：CN107663629B
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201710607408.9
申请日：2017-07-24
Applicant: 丰田自动车株式会社
CPC classification number: C23C16/274 , C23C14/14 , C23C14/325 , C23C16/26 , C23C16/4581 , C23C16/511 , C23C28/32 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01L21/205 , H05H1/46 , H05H2001/4607 , H05H2001/463
Abstract: 本发明提供高频波供给构造。该高频波供给构造具备在规定方向X上延伸的中心导体、与中心导体同轴配置且接地的外侧导体、及设置在中心导体与外侧导体之间的圆筒形状的绝缘构件。中心导体的顶端是支承工件W的支承部。在比外侧导体靠外侧处配置有与外侧导体及中心导体同轴配置的防附着构件。防附着构件的顶端比外侧导体的顶端在规定方向X上更接近支承部。绝缘构件具有从外侧导体的开口向支承部侧突出的突出部分，突出部分在规定方向上与外侧导体的顶端对向。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105316628B
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201510394188.7
申请日：2015-07-07
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: C23C14/32
CPC classification number: H01J37/32559 , C23C14/325 , H01J37/32055 , H01J37/34
Abstract: 本发明提供了一种成膜装置，其包括筒状蒸发源(1)、封闭构件(2A，2B)和辅助电极(3)。筒状蒸发源(1)配置为将工件(W)容纳在蒸发源(1)的内部空间中。筒状蒸发源(1)配置为通过电弧放电从筒状蒸发源(1)释放离子以便所述离子沉积在工件(W)的表面上。封闭构件(2A，2B)封闭所述内部空间。辅助电极(3)沿着筒状蒸发源(1)的内壁表面设置。辅助电极(3)配置为接地或是被施加以正电压以便所述内部空间的电子流向辅助电极(3)。
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公开(公告)号：CN118461086A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410155905.X
申请日：2024-02-04
Applicant: 丰田自动车株式会社
Abstract: 本发明为金属皮膜的成膜方法。一种金属皮膜的成膜方法，包含以下工序：将基材载置于载置台之后，在使镀液隔着电解质膜而与基材接触的的状态下在基材的表面形成金属皮膜，在将镀液密闭了的状态下使载置台和收容体中的至少任一者向相对于另一者远离的方向移动，将电解质膜从基材拉离。在所述成膜的工序前或成膜的工序中，使被收容于所述收容体的所述镀液在所述收容体的外部的循环路径中循环，在该拉离之前，截断循环路径，将收容体内的镀液密闭。
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公开(公告)号：CN106282974A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610457284.6
申请日：2016-06-22
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: C23C16/517
CPC classification number: C23C16/513 , C23C16/455 , H01J37/32211 , H01J37/32311 , H01J37/32577 , C23C16/517
Abstract: 等离子化学气相沉积装置包括腔室(12)、具有伸长形状的第一导体(20)、具有管状形状的第二导体(30)、高频输出装置(45)和直流电源的第一连接部(23)以及第一导体(20)的与直流电源(46)连接的第二连接部(24)均被放置在腔室(12)的外侧。从第一导体(20)的一端到第一连接部(23)的距离短于从第一导体(20)的所述一端到第二连接部(24)的距离。在第一导体(20)中在第一连接部(23)和第二连接部(24)之间设置阻抗变化部(25)，阻抗变化部具有的阻抗不同于在第一导体(20)的所述一端与第一连接部(23)之间的阻抗。(46)。第一导体(20)的与高频输出装置(45)连接
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公开(公告)号：CN103620926A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201380001827.8
申请日：2013-01-22
CPC classification number: C21D9/0068 , C21D1/09 , C21D1/26 , C21D1/34 , C21D8/12 , C21D9/00 , H02K15/024 , H02K15/12
Abstract: 本发明的金属部件的退火方法为：在内周面上形成有向中心方向突出的多个齿的中空圆筒形状的金属部件的内部空间，按照与所述金属部件的中心轴方向平行地延伸的方式配设发射红外线的第1加热器，通过所述第加热器从所述内部空间对所述金属部件进行加热，并且将加热后的所述金属部件缓慢冷却。
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