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公开(公告)号：CN1484864A
公开(公告)日：2004-03-24
申请号：CN02803594.1
申请日：2002-01-04
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/08 , H01L33/50 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/01025 , H01L2924/01079 , H01L2924/12041
Abstract: 本发明提供的III族氮化物半导体发光元件具有包括AlGaInN的组成比不同的两个层的发光层，该发光层能够发射发光峰的波长在紫外区的光和发光峰的波长在可见区的光。这样的发光元件和由紫外区的光激发的荧光材料结合，构造成发光装置。
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公开(公告)号：CN101241965A
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200810000349.X
申请日：2004-07-26
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供一种发光二极管及其制造方法。由无添加GaN整体晶体构成的厚度约为150μm的半导体晶体基片(102)的背侧由以下部分来构成：由干蚀刻来精加工的平坦的被研磨面(102a)；由干蚀刻来精加工的锥形的被研磨面(102b)。在由GaN构成的膜厚约为10nm的n型覆层(104)(低载流子浓度层)上，形成有紫外线发光MQW结构活性层(105)，该活性层(105)将膜厚约为2nm的由Al0.005In0.045Ga0.95N组成的阱层(51)与膜厚约为18nm的由Al0.12Ga0.88N组成的势垒层(52)交替层叠了合计5层而成。此外，在半导体基片(a)的被研磨面上形成负电极(n电极c)的电极形成工序之前，对该被研磨面进行干蚀刻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100395901C
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200480012658.9
申请日：2004-07-26
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 由无添加GaN整体晶体构成的厚度约为150μm的半导体晶体基片(102)的背侧由以下部分来构成：由干蚀刻来精加工的平坦的被研磨面(102a)；由干蚀刻来精加工的锥形的被研磨面(102b)。在由GaN构成的膜厚约为10nm的n型覆层(104)(低载流子浓度层)上，形成有紫外线发光MQW结构活性层(105)，该活性层(105)将膜厚约为2nm的由Al0.005In0.045Ga0.95N组成的阱层(51)与膜厚约为18nm的由Al0.12Ga0.88N组成的势垒层(52)交替层叠了合计5层而成。此外，在半导体基片(a)的被研磨面上形成负电极(n电极c)的电极形成工序之前，对该被研磨面进行干蚀刻。
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公开(公告)号：CN1784790A
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN200480012658.9
申请日：2004-07-26
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 由无添加GaN整体晶体构成的厚度约为150μm的半导体晶体基片(102)的背侧由以下部分来构成：由干蚀刻来精加工的平坦的被研磨面(102a)；由干蚀刻来精加工的锥形的被研磨面(102b)。在由GaN构成的膜厚约为10nm的n型覆层(104)(低载流子浓度层)上，形成有紫外线发光MQW结构活性层(105)，该活性层(105)将膜厚约为2nm的由Al0.005In0.045Ga0.95N组成的阱层(51)与膜厚约为18nm的由Al0.12Ga0.88N组成的势垒层(52)交替层叠了合计5层而成。此外，在半导体基片(a)的被研磨面上形成负电极(n电极c)的电极形成工序之前，对该被研磨面进行干蚀刻。
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公开(公告)号：CN1224114C
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN02803594.1
申请日：2002-01-04
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/08 , H01L33/50 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/01025 , H01L2924/01079 , H01L2924/12041
Abstract: 本发明提供的III族氮化物半导体发光元件具有包括AlGaInN的组成比不同的两个层的发光层，该发光层能够发射发射峰的波长在紫外光区的光和发射峰的波长在可见光区的光。这样的发光元件和由紫外光区的光激发的荧光材料结合，构造成发光装置。
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公开(公告)号：CN101545610B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200910129553.6
申请日：2009-03-26
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: F21V9/10 , H01L33/00 , F21Y101/02
CPC classification number: H01L33/504 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及包括发光二极管的发光器件，该发光器件包括发光二极管、红色发光荧光体层、黄色发光荧光体层和蓝色发光荧光体层。这些层按照顺序为逐渐远离LED的黄色、蓝色和红色荧光体层的堆叠序列堆叠。首先确定黄色和蓝色荧光体层的堆叠序列，使得这些层不相互作用。红色和黄色荧光体层的堆叠序列以及红色和蓝色荧光体层的堆叠序列通过判别式D确定。堆叠序列的这种确定抑制了由于浓度淬灭所导致的荧光体转换效率的降低，改善了发光器件的发射效率。
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公开(公告)号：CN101545610A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200910129553.6
申请日：2009-03-26
Applicant: 丰田合成株式会社
IPC: F21V9/10 , H01L33/00 , F21Y101/02
CPC classification number: H01L33/504 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及包括发光二极管的发光器件，该发光器件包括发光二极管、红色发光荧光体层、黄色发光荧光体层和蓝色发光荧光体层。这些层按照顺序为逐渐远离LED的黄色、蓝色和红色荧光体层的堆叠序列堆叠。首先确定黄色和蓝色荧光体层的堆叠序列，使得这些层不相互作用。红色和黄色荧光体层的堆叠序列以及红色和蓝色荧光体层的堆叠序列通过判别式D确定。堆叠序列的这种确定抑制了由于浓度淬灭所导致的荧光体转换效率的降低，改善了发光器件的发射效率。
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